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  • 中國區銷售及研發中心獲“2020-2021美世中國卓越健康僱主卓越女性關愛獎”

    11月12日,美世中國在上海舉行了隆重的“2020-2021美世中國卓越健康僱主”頒獎典禮,安森美半導體中國區銷售及研發中心獲美世中國授予“2020-2021美世中國卓越健康僱主卓越女性關愛獎”。我司東亞區銷售及研發中心人力資源部總監呂欣慧女士 (Cynthia Lv)代表安森美半導體接受此項榮譽。 此獎項共有8家企業脱穎而出獲此殊榮。美世中國線上和線下累計超過2.57萬人次共同參與和見證了這一高光時刻。 與您分享以下頒獎典禮的精彩瞬間! 2020-2021年度美世中國卓越健康僱主評選共收到來自全國範圍內的223家企業參與,覆蓋25個不同行業,調研共涵蓋14項健康相關的話題,通過對企業健康管理體系和員工個人健康風險兩個維度的綜合調研和分析,評選出為員工的全面健康提供卓越健康環境與健康條件的僱主。 安森美半導體一貫注重工作場所的多元化與包容性,關注員工健康,深化健康管理的宣傳與溝通,個性化健康項目設計與干預。榮獲該獎項是對安森美半導體中國區銷售及研發中心在全員健康管理尤其是女性員工關愛方面的極大認可,我們將繼續探索員工健康管理,改善員工的健康福利體驗,賦能組織活力,打造最健康的工作場所。 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-11-16 關鍵詞: ic 安森美半導體

  • 開關電源IC內部結構是什麼樣的?一文剖析!

    作為一名電源研發工程師,自然經常與各種芯片打交道,可能有的工程師對芯片的內部並不是很瞭解,不少同學在應用新的芯片時直接翻到Datasheet的應用頁面,按照推薦設計搭建外圍完事。如此一來即使應用沒有問題,卻也忽略了更多的技術細節,對於自身的技術成長並沒有積累到更好的經驗。 今天以一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675為例,儘量詳細講解下一顆芯片的內部設計原理和結構,IC行業的同學隨便看看就好,歡迎指教。 LM2675-5.0的典型應用電路: 圖1 打開LM2675的DataSheet,首先看看框圖: 圖2 圖2包含了電源芯片的內部全部單元模塊。BUCK結構我們已經很理解了,這個芯片的主要功能是實現對MOS管的驅動,並通過FB腳檢測輸出狀態來形成環路控制PWM驅動功率MOS管,實現穩壓或者恆流輸出。這是一個非同步模式電源,即續流器件為外部二極管,而不是內部MOS管。 下面咱們一起來分析各個功能是怎麼實現的。 基準電壓 類似於板級電路設計的基準電源,芯片內部基準電壓為芯片其他電路提供穩定的參考電壓。這個基準電壓要求高精度、穩定性好、温漂小。芯片內部的參考電壓又被稱為帶隙基準電壓,因為這個電壓值和硅的帶隙電壓相近,因此被稱為帶隙基準。這個值為1.2V左右,如圖3的一種結構: 圖3 這裏要回到課本講公式,PN結的電流和電壓公式: 可以看出是指數關係,Is是反向飽和漏電流(即PN結因為少子漂移造成的漏電流)。這個電流和PN結的面積成正比,即Is->S。 如此就可以推導出: Vbe=VT*ln(Ic/Is)  回到圖3,由運放分析VX=VY,那麼就是: I1*R1+Vbe1=Vbe2 這樣可得: I1=△Vbe/R1 而因為M3和M4的柵極電壓相同,因此電流I1=I2,所以推導出公式: I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1、Q2的PN結面積之比。 這樣我們最後得到基準: Vref=I2*R2+Vbe2 I1是正温度係數的,而Vbe是負温度係數的,再通過N值調節一下,可實現很好的温度補償,得到穩定的基準電壓。 N一般業界按照"8"設計,要想實現零温度係數,根據公式推算出: Vref=Vbe2+17.2*VT 所以大概在1.2V左右。目前在低壓領域可以實現小於1V的基準,而且除了温度係數還有電源紋波抑制PSRR等問題,限於水平沒法深入了。 最後的簡圖見圖4,運放的設計當然也非常講究。 圖4 圖5温度特性仿真。 圖5 振盪器OSC和PWM 我們知道開關電源的基本原理是利用PWM方波來驅動功率MOS管,那麼自然需要產生振盪的模塊。原理很簡單,就是利用電容的充放電形成鋸齒波和比較器來生成佔空比可調的方波。 圖6 詳細的電路設計圖見圖7: 圖7 這裏有個技術難點是在電流模式下的斜坡補償,針對的是佔空比大於50%時為了穩定斜坡,額外增加了補償斜坡。筆者也是粗淺瞭解,有興趣同學可詳細學習。 誤差放大器 誤差放大器的作用是為了保證輸出恆流或者恆壓,對反饋電壓進行採樣處理。從而來調節驅動MOS管的PWM,如圖8: 圖8 驅動電路 最後的驅動部分結構很簡單,就是很大面積的MOS管,電流能力強。 圖9 其他模塊電路 這裏的其他模塊電路是為了保證芯片能夠正常和可靠的工作,雖然不是原理的核心,卻實實在在的在芯片的設計中佔據重要位置。 具體説來有幾種功能: 1)啓動模塊 啓動模塊的作用自然是來啓動芯片工作的,因為上電瞬間有可能所有晶體管電流為0並維持不變,這樣沒法工作。啓動電路的作用就是相當於“點個火”,然後再關閉。如圖10: 圖10 上電瞬間,S3自然是打開的,然後S2打開可以打開M4、Q1等,就打開了M1、M2,右邊恆流源電路正常工作,S1也打開了,就把S2給關閉了,完成啓動。如果沒有S1、S2、S3,瞬間所有晶體管電流為0。 2)過壓保護模塊OVP 很好理解,輸入電壓太高時,通過開關管來關斷輸出,避免損壞,通過比較器可以設置一個保護點。(圖11) 圖11 3)過温保護模塊OTP 温度保護是為了防止芯片異常高温損壞,原理比較簡單,利用晶體管的温度特性然後通過比較器設置保護點來關斷輸出。(圖12) 圖12 4)過流保護模塊OCP 在譬如輸出短路的情況下,通過檢測輸出電流來反饋控制輸出管的狀態,可以關斷或者限流。如圖13的電流採樣,利用晶體管的電流和麪積成正比來採樣,一般採樣管Q2的面積會是輸出管面積的千分之一,然後通過電壓比較器來控制MOS管的驅動。 圖13 還有一些其他輔助模塊設計。 恆流源和電流鏡 在IC內部,如何來設置每一個晶體管的工作狀態? 答案是通過偏置電流。 恆流源電路可以説是所有電路的基石,帶隙基準也是因此產生的,然後通過電流鏡來為每一個功能模塊提供電流,電流鏡就是通過晶體管的面積來設置需要的電流大小,類似鏡像。 圖14 結 語 以上大概就是一顆DC/DC電源芯片LM2675的內部全部結構,也算是把以前的皮毛知識複習了一下。 當然,這只是原理上的基本架構,具體設計時還要考慮非常多的參數特性,需要作大量的分析和仿真,而且必須要對半導體工藝參數有很深的理解,因為製造工藝決定了晶體管的很多參數和性能,一不小心出來的芯片就有缺陷甚至根本沒法應用。整個芯片設計也是一個比較複雜的系統工程,要求很好的理論知識和實踐經驗。 最後,學而時習之,不亦説乎! 本文系網絡轉載,版權歸原作者所有。如有問題,請聯繫我們,謝謝! 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-11-16 關鍵詞: 開關電源 ic

  • Maxim Integrated推出業界最小的四路輸出SIMO電源管理IC,將功率密度提高85%

    中國,北京—2020年11月11日—Maxim Integrated Products, Inc宣佈推出MAX77655單電感多輸出(SIMO)電源管理IC (PMIC),以最高功率密度實現新的技術突破,適用於尺寸極小的下一代設備。與最接近的競爭方案相比,該款PMIC將方案尺寸縮小70%,4路升/降壓轉換通道可提供700mA電流,且僅需一個外部電感,總方案尺寸僅為17mm2。 從事可穿戴設備、物聯網(IoT)傳感器組網、健康監護儀等超小尺寸便攜設備研發的工程師們正在謀求在系統中整合更強的計算能力、更大的存儲容量以及更豐富的傳感器資源的解決方案——將所有功能集成到超小尺寸設備中。MAX77655 SIMO PMIC將4路電源集成在3.95mm2的單片IC中,且共用同一電感,解決了空間受限的難題。此外,IC的超高工作效率有助於延長電池壽命,在中、高功率負載下,電源轉換器效率高達90%;輕載條件下,靜態電流僅為6.9µA。 對於系統電流小於500mA的電源管理平台,Maxim Integrated推出了兩款可配置PMIC :MAX77643和MAX77642。這些IC具有高達93%的業界最高效率,且只需單個電感即可支持3路升/降壓調節器輸出,並集成了150mA LDO/負載開關。 主要優勢 · 最高功率密度:功率密度提高85%;可提供高達700mA總電流,而PCB面積只有17mm2,支持較高電流負載,為下一代設計提升計算能力和傳感器資源 · 最小尺寸:集成4路電源而只需單個電感,將電源管理方案尺寸減小70% · 高效率: 3.7 VIN、1.8 VOUT時效率高達90% 評價 · “隨着最終用户對超小型電子產品的可穿戴性要求越來越強、集成度要求越來越高,工程師們在系統中增添新功能的難度越來越高。”Omdia電源半導體分析師Kevin Anderson表示:“任何能夠減小尺寸且提高輸出功率的電源設計將有助於設計者為下一代應用增添強大的計算能力。” · “MAX77655採用突破性的SIMO結構,為數百萬小尺寸、電池供電和雲連接系統帶來了新能力。該方案的最高功率密度為可穿戴和邊緣AI設計製造商鋪平了道路,其願景是提高這些設備的‘智能化’和數據採集點。”Maxim Integrated移動電源事業部總監Karthi Gopalan表示:“基於我們的電源方案,設計者能夠在系統中增加處理能力最強的精密傳感器,同時又能滿足客户的苛刻需求,即以最小尺寸提供最長的電池壽命。” 供貨及價格 · MAX77655的價格為1.50美元(1000片起,美國離岸價),可通過Maxim官網及特許經銷商購買。 · 提供 MAX77655EVKIT# 評估套件,價格為135美元。

    時間:2020-11-12 關鍵詞: maxim 電源管理 ic

  • 關於適用於顯示器電源的InnoMux™芯片組介紹

    在生活中,你可能接觸過各種各樣的電子產品,那麼你可能並不知道它的一些組成部分,比如它可能含有的InnoMux™芯片組,那麼接下來讓小編帶領大家一起學習InnoMux™芯片組。 效率達91%的創新型單級架構,對多路恆壓及恆流輸出可進行單獨控制,進而可以省去後級穩壓電路。 Power Integrations新推出的適合顯示器電源的InnoMux™芯片組。該芯片組是InnoMux控制器IC與InnoSwitch™3-MX隔離式開關電源IC的創新結合,通過一個電源可同時為控制器和LED背光供電。 致力於高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司(納斯達克股票代號:POWI)今日發佈適用於顯示器電源的InnoMux™芯片組。該芯片組採用獨特的單級功率架構,可降低顯示器應用的功耗水平,與常規的電源方案相比,可將恆壓及恆流LED背光驅動電路的整體效率提高50%,使電源效率達到91%。此外,電視機和顯示器設計者還可以將元件數減少50%以上,從而降低製造成本,同時可增強電源板的可靠性。 該芯片組採用獨特的單級功率架構,通過增加恆壓及恆流驅動電路的整體效率,可降低顯示器應用的功耗水平,使電源效率達到91%。 這款全新芯片組包括一個InnoMux控制器IC和一個InnoSwitch™3-MX隔離型開關IC。InnoSwitch3-MX是Power IntegraTIons反激式開關IC產品系列的最新成員,它集成了初級FET、初級側控制器、用於同步整流的次級側控制器以及可省去光耦器的FluxLink™高速通信技術。InnoSwitch3-MX接受來自InnoMux IC的控制信息,它可以分別測量每個輸出的負載要求,並指令InnoSwitch3-MX的開關操作向每個輸出提供適當的功率,以維持電流或電壓的調整精度。這樣可消除常規的多路輸出電源中常見的負載和交叉調整率挑戰,因此無需使用後級穩壓電路。整體的電源轉換效率提高10%,可省去散熱片並消除過熱的發熱點,同時可輕鬆滿足即將實施的ENERGY STAR® 8.0顯示器標準以及計劃於2019年7月生效的最新CEC功耗標準。 電視機和顯示器設計者還可以將元件數減少50%以上,從而降低製造成本,同時可增強電源板的可靠性。 InnoMux技術的獨特之處在於,可同時支持精確調整的恆流及恆壓輸出,可實現一到四個恆流通道的控制及多達兩路恆壓輸出的控制。這一靈活性可滿足電視機和顯示器中常見的邏輯、音頻和LED供電要求。該IC可為每個輸出提供過載保護。InnoMux技術還支持LED恆流輸出所需的複雜的調光應用,包括模擬調光和PWM調光,還可通過專用的模擬和PWM控制引腳實現交替式及混合式調光,實現調光幅度降至1.5%的水平。 相信通過閲讀上面的內容,大家對InnoMux™芯片組有了初步的瞭解,同時也希望大家在學習過程中,做好總結,這樣才能不斷提升自己的設計水平。

    時間:2020-11-09 關鍵詞: 控制器 電源轉換 ic

  • 聚焦芯生態,貿澤電子贊助2020中國(深圳)集成電路峯會

    2020年10月29日 – 專注於引入新品並提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣佈贊助支持2020中國(深圳)集成電路峯會(IC峯會)。大會為期兩日,於10月29-30日在深圳華僑城洲際大酒店召開。本屆峯會將以“新時期,芯生態”為主題,以新時期創新共贏、開放合作為理念,聚焦集成電路設計產業、研討先進特色製造和封裝工藝、探索創新生態體系、促進產品創新應用。 近年來,在國家政策扶持以及市場應用帶動下,中國集成電路產業發展非常迅速。隨着傳統產業的轉型升級,一些大型、複雜的自動化系統開發應用不僅提高了對芯片的需求,還要求國內集成電路產業在全面提升創新能力、優化產業鏈結構上能夠快速提升。為進一步促進中國集成電路產業發展,此次峯會將面向包括集成電路設計、製造、封測、應用等集成電路行業上下游全鏈條的專業人士,邀請國內外著名院士、專家學者、技術大咖和企業家圍繞集成電路關鍵核心技術與產業化、集成電路產業鏈生態建設和協同發展、未來技術發展與熱點應用、資本整合與產業模式創新、芯片與整機企業聯動等主題進行研討和交流。貿澤電子作為全球電子元器件分銷商,深知集成電路的發展對國家的重要性,對本次峯會進行贊助和支持,以行業之力積極投身到集成電路產業的建設中。 貿澤電子亞太區市場及商務拓展副總裁田吉平女士表示:“集成電路是支撐國民經濟和引領科技前進的關鍵力量,貿澤電子也一直堅信,充分利用全球資源加強合作和創新,加大對國內集成電路行業的人才培養,將有助於集成電路產業更好地發展。近年來,貿澤電子也在不斷地拓展全球集成電路的合作資源,幫助從事集成電路領域的工程師提供新產品和技術支持,並就集成電路方面與原廠攜手開展各類專題活動,讓工程師能夠獲得更多的技術知識,以更好地運用到實際的研發創新中。同樣,本次集成電路峯會的舉辦更是為集成電路產業相關的人士提供了全面、豐富、專業的交流平台,貿澤電子也會始終保持對國內集成電路產業的關注,深化創新與合作,助力整體集成電路產業繼續蓬勃發展。”

    時間:2020-10-29 關鍵詞: 貿澤電子 集成電路峯會 ic

  • 低功耗成為首選,那何為IC功耗控制技術?

    低功耗是設計人員追求的目標之一,針對功耗,目前大家已經推出諸多低功耗方案。為增進大家對功耗的認識,本文將對IC功耗控制技術予以介紹。如果你對本文內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 在許多設計中,功耗已經變成一項關鍵的參數。在高性能設計中,超過臨界點温度而產生的過多功耗會削弱可靠性。在芯片上表現為電壓下降,由於片上邏輯不再是理想電壓條件下運行的那樣,功耗甚至會影響時序。為了處理功耗問題,設計師必須貫穿整個芯片設計流程,建立功耗敏感的方法學來處理功率。 不應該等到快要出帶才開始擔心功耗問題。如果這樣,你可能會發現減少功耗的工作做得太少了,也太晚了。 忽視任何一種消耗功率的因素。例如,當你試圖減少開關功耗的時候,泄露功耗卻可能是更值得重視的部分。過多的峯值功耗可能在片內和片外都造成大的噪聲毛刺。 相信減少電源電壓或使用小几何尺寸的工藝將解決功耗問題。更低的電源電壓減小了噪聲裕量,並且減慢了電路運行速度,這使得難以達到時序收斂,甚至難以滿足功能規格。在90納米及以下工藝,會呈現更大的漏電流。 指望一個“按鈕式”的低功耗解決方案或方法。必須在設計過程中的所有階段實現功耗管理——有時需要設計決策,有時更多的是自動化實現。 認為具功耗敏感的設計和自動降耗是互斥的。如果在一個完整的功耗管理設計方法中將二者結合,這兩種技術將有效地幫助你克服功耗難題。 互連正在開始支配開關功耗,就像在前幾個工藝節點支配時序一樣。右圖表明瞭互連對總動態功耗的相對影響。今天,設計師有能力通過佈線優化來減少功耗。 在物理設計階段,設計師也可以發現更多自動降耗的機會。在物理設計過程中自動降耗將是對設計流程早期以及邏輯綜合過程中功耗減少的補充。 功耗是一個“機會均等”問題:從早期設計取捨到自動物理功耗優化,所有降低功耗的技術都彼此相互補充,並且需要作為每個現代設計流程中的一部分加以考慮。工程師在解決功耗問題的時候,可以把下面這些準則作為任何一種設計方法學的有機組成部分加以應用。 應該理解功耗是與性能(時序)、功能以及你的設計成本一樣重要的設計參數。在做設計決策和權衡時把功耗因素考慮進去。流程早期明智的設計決策能帶來實質的功耗節省。然而,在設計過程的初始階段,自動減少功耗則比較困難。 採用高級設計技術來減少功耗,例如電壓/功率島劃分、模塊級時鐘門控、功率下降模式、高效存儲器配置和並行。能減少功耗的高級抽象技術包括動態電壓和頻率調整、存儲器子系統分區,電壓/功率島劃分以及軟件驅動睡眠模式等。 在RTL級和準RTL級精確估算功耗。瞭解對整體功耗有影響的設計因素和規範是設計師的任務,但是,高級功耗估算工具能夠為設計者提供他們作適當折衷時所需的信息,這對設計師來説很有幫助。 研究所有自動降低功耗的機會,在降耗的同時還不能影響時序或者增加面積。例如,在邏輯綜合階段,寄存器時鐘門控能夠被有效地使用,但是這樣做可能會對物理設計過程造成時序和信號完整性問題。一個替代的方法就是在物理設計階段實現時鐘門控,這一階段已經能得到精確的時序和信號完整性信息。 在物理設計階段通過優化互連來減少高功耗節點的電容,從而節省功耗。一旦互連電容被減少,驅動這些更低電容負載的邏輯門可以有更小的尺寸或者被優化來產生更低的功耗。使用多閾值電壓單元替代來減少泄漏功耗也能夠在物理級得到有效實現。 以上便是此次小編帶來的“功耗”相關內容,通過本文,希望大家對IC功耗控制技術具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 功耗 指數 ic

  • 摩爾定律引發的技術革命下,中國半導體產業的機會

    出品 21ic中國電子網 付斌 網站:21ic.com 伴隨 5G、AIoT的發展和國際關係的日漸緊張之下,集成電路產業逐漸受到一致關注。 2020 年 10 月 14 日, “第三屆全球IC企業家大會暨第十八屆中國國際半導體博覽會”(IC China 2020 )於上海開幕,會上各位專家指出了行業的痛點和機會所在。   摩爾定律放緩催生新材料新架構 摩爾定律是產業一直以來遵循的重要法則,回溯1965年當時提出價格不變情況下,集成電路可容納的元器件數量每年都會翻番,性能也會提升一倍。十年後,這項定律被修改為兩年一翻番。時至今日,多核眾核、功耗、密度、頻率已逐漸失效,只有晶體管密度還在繼續前向發展。   中國工程院院士吳漢明認為,在製程節點20nm以後叫做後摩爾時代,2nm和1nm是否還會走下去,這是業界仍未知的領域,未來的挑戰非常大。但從另一個角度來看,對於中國集成電路來説,發展速度變慢也是一個機會。   摩爾定律在發展過程中曾經主要遭遇了三大瓶頸,其一,受到材料限制,發明了電化學鍍銅和機械平面化的雙鑲嵌結構(dual damascence process)技術;其二,受到設備物理限制,Si柵極和SiO2柵極電介質材料被金屬柵極和高K電介質取代;其三,受到光刻限制,193nm以上的製程工藝,應運而生了光刻技術。   實際上,正是因為受到這種限制,光刻工藝和刻蝕工藝便成為了後摩爾時代芯片圖形發展的兩個重要技術。通過公式得知,光刻工藝技術受到NA、k1、λ幾個參數影響,在製程節點32nm-45nm下產生了浸沒工藝、10nm-16nm下使用多重曝光工藝、5nm-7nm則使用極紫外線(EUV)工藝。   但與此同時,EUV光刻也面臨着光源、光刻膠和掩膜版三大挑戰。掩模的整體產率約94.8%,但EUV掩模僅64.3%左右,EUV淹模比複雜光學掩模還貴三至八倍(40層到50層交替的硅和鉬層組成)。     除了上述的光刻技術,目前納米壓印、X光光刻、電子束直寫作為先進光刻技術正在高速發展之中,但這些技術在3-5內仍然有發展空間,並不會馬上成為主流技術。   默克中總裁兼高性能材料業務中國區董事總經理Allan Gabor認為,展望未來,伴隨摩爾定律的逐漸失效,正在催生新材料和新結構。在此方面,吳漢明也預測,隨着工藝節點演進,摩爾定律越來越難以持續,預計將走到2025年。在這些挑戰下,新材料、新工藝將是未來成套工藝研發的主旋律。   後摩爾時代有着四大發展模式,具體的方式包括:馮 -硅模式 ,二進制基礎的 MOSFET和CMOS (平面) 及泛CMOS (立體柵FinFET、納米線環柵NWFET、 碳納米管CNTFET等技術) ;類硅模式,現行架構下 NC T FET (負電容)、 TFET (隧穿)、相變 FET、SET (單電子)等電荷變換的非 CMOS技術 ;類腦模式 3D封裝模擬神經元特性,存算一體等計算,並行性、低功耗的特點,人工智能的主要途徑 ;新興模式,狀態變換(信息強相關電態 /自旋取向 )、新器件技術(自旋器件 /量子 )和新興架構(量子計算 /神經形態計算 )。   因而邏輯器件將會擁有三個趨勢,其一是結構方面,增加柵控能力,以實現更低的漏電流,降低器件功耗;其二是材料方面,增加溝道的遷移率,以實現更高的導通電流和性能;其三,架構方面,類似平面NAND閃存向三位NAND閃存演進,未來的邏輯器件也會從二維集成技術走向三維堆棧工藝。   “摩爾定律放緩是不爭的事實,但據OpenAI預估AI算力約每3.5個月翻倍,算力需求正已10倍年增長增加,甚至在摩爾定律不放緩下都難以滿足日益增速的算力需求。”上海燧原科技有限公司創始人兼CEO趙立東如是説。   因此,一個小小的摩爾定律所引發的蝴蝶效應,迎接挑戰的並非只有光刻、刻蝕技術,其實從工具鏈、產業鏈、產學研上來講都是需要做好抓手,快速升級的領域。   全球產業合作具有非凡意義 “集成電路產業是信息技術產業的核心,是支撐經濟社會發展的戰略性、基礎性、先導性產業,目前是新基建的基石,是信息社會的糧食”,工業和信息化部電子信息司副司長楊旭東在開幕致辭中如是説。   通過一組數據來看,目前我國集成電路產業發展已駛入快車道,年複合增長率已超過20%。2019年我國集成電路產業規模實現7000多億元,同比增長15.8%,遠勝於全球整體的負增長局面。而在今年上半年新冠疫情的影響下,我國半導體產業依然保持了16%的增長。   今年是特殊的一年,疫情的衝擊,既是危、也是機。中國半導體行業理事長、中芯國際集成電路製造有限公司董事長周子學表示,半導體作為高度國際化的產業,在新冠疫情向全球蔓延情況下,也不可避免受到一定衝擊。從前三季度信息產業運行來看,一方面對終端需求、物流等領域對半導體行業造成了一定負面影響,另一方面,隨着線上辦公、視頻會議、網絡授課等需求,以及5G等新興應用的興起,也為產業發展帶來了新的機遇。   事實上,通過數據端來看,根據中國半導體行業協會的統計,上半年中國集成電路產業銷售額為3539億元,同比增長16.1%,上半年中國集成電路進出口同樣保持着良好的增長勢頭,發展體現了極強的韌性。他表示,在全國許多產業處於非常不利的情況下,還能有這樣的增長,對國家也是一個重大的貢獻。   “半導體行業依靠全球市場和全球供應鏈而蓬勃發展,我們需要關注開放的貿易與創新,這既是成功的基石,也是消費者繼續享受科技福祉的必要前提”, 美國半導體行業協會輪值主席、安森美半導體總裁兼CEO Keith D.Jackson強調了全球產業鏈協作的重要性,他認為沒有一個國家能夠獨立提供整個產業鏈,中國政府恪守承諾堅定不移地實行開放政策,穩定對外貿易和投資,是令人鼓舞和振奮人心的,這篤定了外資公司的信心。   全球市場仍然是國產發展不容小覷的方向,通過中國半導體行業協會常務副理事長、中國電子信息產業發展研究院院長張立展出的一組數據顯示,在過去35年中,全球半導體市場增長近20倍,年均增速達9%。預計到2030年,全球半導體市場規模有望增長到萬億美元規模。存量市場上,如手機、服務器等產品中,半導體價值量持續提升;新興市場上,如5G、人工智能、智能汽車等,成為半導體增長重要驅動力。   值得一提的是,全球半導體貿易值為產值的3~4倍,半導體供應鏈呈現高度全球化的態勢。比如硅片生產主要集中在日本、中國台灣,晶圓製造集中在中國台灣、中國大陸、韓國、日本、美國,封裝測試主要集中在中國大陸、馬來西亞、新加坡,整機組裝集中在中國大陸、中國台灣、馬來西亞、越南、墨西哥等。2019年中國大陸集成電路進口金額達3055.5億美元,出口金額達1345億美元。   美國半導體行業協會總裁兼CEO John Neuffer在會上指出,中國是世界上最大的電子消費國,也是美國芯片製造商最大的市場。2019年,中國市場佔美國半導體公司收入的36%。如今,中國已經擁有了17%的芯片產量,預計到本世紀末,這一比例將增長到約28%。此外,中國半導體企業創新能力正在不斷加強,參與全球半導體產業的程度不斷加深,尤其是在晶圓廠和OSAT領域。   日本、韓國、中國台灣等地都逐漸成為了全球半導體產業鏈中重要的一員。“這種全球化和區域專業化推動着半導體行業發展至今,競爭力是推動半導體進步的一個重要原因。歷史表明,其他國家在半導體行業的崛起確實帶來了新的挑戰,但全球產業鏈的成功表明我們有能力去面對這種競爭。”   中國半導體行業正在開花 目前中國半導體行業落後已經成為了不爭的事實,但從歷史來看,從第一塊硅單晶誕生、第一塊硅集成電路誕生到年產量100萬塊的過程當中,我國與美國以及日本的差距並不大;但從年產量1000萬塊開始,我國產業就與其他國家產生了巨大的差距。   究其原因,從數據來看,中國的基礎研究的經費投入比例為5%,相對其他國家的12%-24%,比較少。另外,這部分的研發大部分投入都是在試錯方面,基礎研究比先進國家的差距非常大。   因此,吳漢明認為,集成電路產業技術創新上擁有兩大壁壘,分別為戰略性壁壘和產業型壁壘。戰略性壁壘方面,他認為重點三大卡脖子製造環節在工藝、裝備/材料、設計IP核/EDA上,在此方面的產業鏈長,設計的領域寬;而產業型壁壘方面,他認為基礎研究薄弱,產業技術儲備匱乏。   不過好消息是,經過半導體技術的演進和行業的變遷,全球半導體產業正在不斷遷移至中國大陸,中國大陸已逐漸成為產業第三次轉移的核心。根據芯微原電子(上海)股份有限公司董事長兼總裁戴偉民的介紹,轉移的原因主要是由於手機和物聯網時代的序幕拉開,而這最終導致產業鏈從IPbbgoex和輕設計bbgoex的浮現。   盛美半導體設備股份有限公司董事長王暉認為半導體設備公司的興起與成長緊緊跟隨全球芯片製造中心的遷移,而此遷移的路線依然與全球半導體產業遷移的道路相同,未來10年中國將成為全球半導體芯片製造的重心。   通過數據來看,國產芯片本土市場正在逐漸增加,2019年市場規模達到了29.5%。2013-2020年,中國半導體行業的複合增長率達到了15.7%。不僅如此,我國集成電路市場已覆蓋芯片、軟件、整機、系統、信息服務領域,中國已經逐漸成為全球集成電路企業發展的沃土。   “中國發展離不開世界,世界發展也需要中國。”   我國積極參與X86、ARM、MIPS等全球生態,我國阿里、中興微、華米等5家企業成為RSIC-V的白金會員,中國積極參與全球各類標準制定和建設……   從集成電路產教融合發展聯盟成立到國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》等多個政策利好的發佈,中國的集成電路正在把握住摩爾定律放緩以及5G、物聯網爆發的這波機會。    近期熱度新聞 【bbgoex】Xilinx迴應AMD 300億收購傳聞,異構計算成為“戰場”? 【bbgoex】華為老對手思科被罰!129億! 【bbgoex】英特爾、高通、特斯拉、蘋果組成“反對聯盟”:抗議Nvidia-ARM收購案 乾貨技能好文 【bbgoex】關於PCB迴流,看這一篇就夠了! 【bbgoex】PCB從業者必讀:特殊走線畫法與技巧! 【bbgoex】乾貨!端口設計中的保護電路 你和大牛工程師之間到底差了啥? 加入技術交流羣,與高手面對面  添加管理員微信 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-10-16 關鍵詞: 半導體 摩爾定律 ic

  • IC insights:中國大陸今年將佔晶圓代工業務的22%

    ICinsights報告顯示,中國大陸在2018年的幾乎貢獻了純晶圓代工市場在當年的所有增長。2019年,中美貿易戰減緩了中國的經濟增長,但其晶圓代工市場份額仍然增長了兩個百分點,達到21%。此外,儘管今年早些時候Covid-19關閉了中國經濟,但據預測,到2020年,中國在純晶圓代工市場的份額將為22%,比2010年的水平高出17個百分點(圖1) 圖源:ICinsights 預計日本仍將是純晶圓代工銷售的最小市場,今年的市場份額僅為5%(比2010年的份額僅增長2個百分點)。預計到2020年日本的晶圓代工市場價值約為36億美元,日本的純晶圓代工銷售份額預計將約為2020年美洲純晶圓代工市場(351億美元)的10%。 IC Insights認為,未來純晶圓代工服務的日本市場只會略有增長。日本的無晶圓廠IC公司基礎設施很小,預計未來五年不會增長太多。因此,預計日本晶圓廠需求的幾乎所有增長都將來自利用IC代工服務的大量日本IDM(例如瑞薩,東芝,索尼等)。 海思和其他無晶圓廠IC公司在中國大陸的興起增加了該國對代工服務的需求。 總體而言,中國的純晶圓代工銷售額在2019年增長了10%,達到118億美元,遠好於去年純晶圓代工市場總量下降1%的水平。此外,預計到2020年,對中國的純晶圓代工銷售將增長26% 聯電在中國的銷售額增長最快,躍升了19%。增長的動力來自其位於中國廈門的Fab 12X的持續增加,該工廠於2016年底開業。該晶圓廠目前的月產能為1.87K 300mm晶圓。預計到2021年中期將完成每月25,000片晶圓的擴展。 在2018年躍升59%之後,台積電在中國的銷售額在2019年又增長了17%,達到69億美元。因此,去年台積電的銷售額增長几乎全部來自中國市場,中國在該公司銷售中所佔的份額從2016年的9%增至2019年的20%,翻了一番以上。2020年,總部位於中國大陸的中芯國際和中國台灣的台積電在中國大陸的預計銷售預計將增長將分別達到32%和30%。對於中芯國際來説,今年該公司在中國大陸的銷售額將增長32%,這與該公司在2019年錄得的中國銷售額下降7%相比有了很大的轉變。 去年下半年,台積電在中國的銷售強勁,這得益於其向無晶圓廠IC供應商海思(HiSilicon)銷售7納米應用處理器。2020年上半年,台積電在中國的大陸銷售額持平於每季度2.2至23億美元。鑑於台積電向海思的設備出貨已於9月中旬結束,因此該收入能否在20年4季度被其他中國公司的銷售所取代尚待觀察。 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-10-15 關鍵詞: 半導體 ic

  • 第三屆全球IC企業家大會暨IC China2020在上海開幕

    10月14日,由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院主辦,中國電子報社、賽迪顧問股份有限公司、賽迪智庫集成電路所、上海市集成電路行業協會承辦的第三屆全球IC企業家大會暨第十八屆中國國際半導體博覽會(IC China2020)在上海開幕。 工業和信息化部電子信息司副司長楊旭東,上海市人民政府副祕書長陳鳴波,中國半導體行業協會理事長、中芯國際集成電路製造有限公司董事長周子學出席開幕式並致辭。美國半導體行業協會輪值主席、安森美半導體總裁兼CEO Keith D.Jackson(傑克信)特別發來視頻致辭。開幕式由中國半導體行業協會常務副理事長、中國電子信息產業發展研究院院長張立主持。 大會照片 工業和信息化部電子信息司副司長楊旭東在致辭中表示,集成電路產業是信息技術產業的核心,是支撐經濟社會發展的戰略性、基礎性、先導性產業,是新基建的基石,是信息社會的糧食,也是全球各國在高科技競爭中的戰略必爭之地。 工業和信息化部電子信息司副司長楊旭東 楊旭東指出,我國集成電路產業發展已經駛入了快車道,年均複合增長率超過20%。2019年,我國集成電路產業規模實現7000多億元,同比增長15.8%。這與國務院下定決心、地方政府保持恆心、集成電路產業找準重心、產業鏈上下游各環節團結一心是分不開的。 對於中國集成電路產業發展,楊旭東表示,一直以來,中國集成電路產業始終秉持開放發展、合作共贏的原則,充分利用全球資源不斷深化國際合作,持續推進技術創新,努力融入全球生態。目前,中國在全球市場份額中佔比接近50%,已經成為全球規模最大、增速最快的集成電路市場。外資企業對中國大陸集成電路銷售收入的貢獻率超過了30%,已經成為中國集成電路產業的重要參與者和推動者。他強調,中國願意與各國進一步加強合作,歡迎世界各國企業在華投資和經營。 上海市人民政府副祕書長陳鳴波在致辭中指出,近年來,上海集成電路產業實現了長足發展。上海IC設計、製造、裝備、材料、封測等領域的發展在全國名列前茅。 上海市人民政府副祕書長陳鳴波 陳鳴波介紹説,目前,上海已經集聚了超過600家半導體企業,累計完成投資超過3000億元。自2016年以來,上海的工業增長率在17%左右。與此同時,上海市政府十分注重IC行業人才培養和吸引,人才集聚度約為40%。陳鳴波表示,隨着户口政策的開放,人才集聚度還會進一步提高。 中國半導體行業協會理事長、 中芯國際集成電路製造有限公司董事長 周子學 中國半導體行業協會理事長、中芯國際集成電路製造有限公司董事長周子學認為,雖然,疫情對終端需求、物流等領域造成了一定負面影響,從而影響了半導體行業的發展。不過,線上辦公、視頻會議、網絡授課等新興應用需求的興起,也為半導體產業發展帶來了新機遇。未來,中國半導體行業將不斷加強與全球半導體產業的合作交流,擴大對外開放,共享全球半導體產業發展的成果。 美國半導體行業協會輪值主席 安森美半導體總裁兼CEO Keith D.Jackson(傑克信) 美國半導體行業協會輪值主席、安森美半導體總裁兼CEO Keith D.Jackson(傑克信)表示,半導體行業依靠全球市場和全球供應鏈而蓬勃發展,產業需要開放貿易與持續創新,這既是產業健康發展的基石,也是消費者繼續享受科技福祉的必要前提。 傑克信強調,半導體產業是全球性的,沒有一個國家能夠獨立於整個產業鏈。中國政府恪守承諾,堅定不移地實行開放政策,穩定對外貿易和投資,這一做法篤定了外資企業的信心。 中國工程院院士、浙江大學微納電子學院院長、 芯創智(北京)微電子有限公司董事長吳漢明 在上午的開幕演講環節,中國工程院院士、浙江大學微鈉電子學院院長、芯創智(北京)微電子有限公司董事長吳漢明表示,目前 20納米以上的技術節點佔據了市場上82%的產能。在這些工藝節點上我國有巨大的創新空間和市場空間,因此這些工藝節點是國內企業需要大力發展的。此外,吳漢明認為,集成電路產業發展還需要巨大的資金投入、人才儲備以及突破戰略性壁壘和產業性壁壘。應對措施包括擁有相對可控的產業鏈和專利庫。 中國半導體行業協會常務副理事長、 中國電子信息產業發展研究院院長 張 立 中國半導體行業協會常務副理事長、中國電子信息產業發展研究院院長張立表示,隨着資金、技術、產品、人才等全方位的競爭加劇,當前全球集成電路產業已經進入到發展的重大轉型期和變革期。未來,5G、人工智能、智能汽車等新興領域將成為半導體市場發展的重要驅動力。預計到2030年,全球半導體市場的規模有望達到一萬億美元,市場前景非常廣闊。 張立在大會上強調,中國的發展離不開世界,世界的發展也需要中國。集成電路產業是一個全球化的產業,任何一個國家都不可能自成體系。他表示,中國正持續營造一個開放合作、公平競爭的產業發展環境,促進全球範圍內的分工協作共享,在公平競爭中實現產業繁榮。同時,中國正全面、系統地從財税、投融資、研發、進出口、人才、知識產權、市場應用等方面,不斷出台優惠的政策來優化營商環境,維護市場公平競爭,加強知識產權保護等,集成電路產業的投資環境在不斷改善。 美國半導體行業協會總裁兼CEO 約翰•紐菲爾 美國半導體行業協會總裁兼CEO約翰•紐菲爾通過視頻向與會嘉賓介紹説,如今,半導體行業正面臨獨特而艱鉅的挑戰——摩爾定律接近物理極限、芯片創新成本增長、疫情的侵襲、反全球化浪潮和相關的經貿脱鈎風險不斷上升等。近年來,美國半導體企業已將收入的五分之一用於應對研發挑戰,僅2019年的研發成本便接近400億美元。 此外,紫光展鋭(上海)科技有限公司執行副總裁周晨,默克中國總裁兼高性能材料業務中國區董事總經理Allan Gabor (安高博),上海華虹宏力半導體制造有限公司執行副總裁周衞平等嘉賓,就集成電路未來發展趨勢和挑戰做了展望和分析。開幕演講環節由上海市經濟和信息化委員會副主任傅新華主持。 在下午的主題演講中,芯原微電子(上海)股份有限公司董事長兼總裁戴偉民,上海燧原科技有限公司創始人兼CEO趙立東,新思科技中國副總經理謝仲輝,上海集成電路產業投資基金管理有限公司總經理陳剛,地平線公司創始人兼CEO餘凱,博世汽車電子中國區總裁Georges Andary(安德睿),盛美半導體設備股份有限公司董事長王暉,北京華大九天軟件有限公司董事長劉偉平,全球半導體聯盟(GSA)聯合創始人、CEO及總裁Jodi Shelton(朱迪•謝爾頓),上海張江高科技園區開發股份有限公司副董事長、總經理何大軍,豪威科技有限公司高級副總裁吳曉東發表精彩演講。主題演講環節由中國半導體行業協會副理事長、上海市集成電路行業協會祕書長徐偉主持。 來自美國、歐洲、韓國、日本、中國台灣等國家和地區的企業家、行業組織、專家學者;國內外相關行業協會組織、科研院所、金融機構、熱點領域用户代表;國內外產業鏈主導企業代表以及國內外新聞媒體共同參加了本屆大會。 為了突出專業、技術特色,聚焦當前行業熱點,本次大會除主論壇外,10月15日還將舉辦六場分論壇,以及一場高峯論壇,分別是:5G芯片論壇、半導體產業鏈創新論壇、智能網聯汽車芯片論壇、半導體知識產權發展論壇、長三角集成電路創新發展論壇、RISC-V創新應用論壇以及國產芯動能高峯論壇暨飛騰平台全棧解決方案白皮書及全生態圖譜發佈會。 與大會同期舉辦的第十八屆中國國際半導體博覽會(IC China 2020)將在上海新國際博覽中心舉辦,展出面積超過15000平方米,參展企業超過200家,預計觀展人數將超過2萬人次。展會共設置半導體分立器件、高端芯片、半導體設計、半導體設備材料、半導體創新應用、半導體制造及封測6大展區,通過多種形式展示集成電路產業發展的成果,展示集成電路領域的新技術、新產品、新服務。 集成電路龍頭企業參展踴躍,已有紫光集團、中芯國際、中微半導體、東京精密、迪思科、聯發科、華虹宏力、華力微電子、華潤微電子、大唐電信、天水華天、江蘇長電、通富微、寧波江豐、積塔半導體、燧原科技、上海微電子、北方華創、華海清科、和艦、長晶科技、盛美半導體、愛博精電等200餘家企業確認參展,更有來自北京、上海、天津、深圳、陝西、蘇州、無錫、南京、山東及韓國等國家和地區的企業組團前來參展。 展會同期還舉辦了產業應用對接會、產業遊學暨招聘會、城市主題日等豐富的現場活動。產業應用對接會邀請到長鑫存儲技術有限公司、華潤微電子有限公司、長江存儲科技有限責任公司採購部負責人坐鎮現場,與杭州長川科技股份有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、蘇試宜特(上海)檢測技術有限公司、納瑞科技(北京)有限公司、無錫市奧斯韋特科技有限公司、HEALTHRIAN Co.,LTD、福建雅鑫電子材料有限公司等展商現場交流,實現精準對接,最大程度為供需雙方節省溝通成本,實現雙贏。 為了幫助產業吸引更多的半導體優秀人才,IC China 組委會攜手上海市集成電路行業協會、摩爾人才雲積極搭建半導體業界以及各大院校之間的合作平台,本屆活動吸引恩智浦、商湯、格科、華虹宏力、環旭、博通、樂鑫、安集、積塔、盛美、兆易創新、艾為、聯發科、Edwards、寒武紀、晶晨、科天、cadence,長江存儲等19家企業HR現場發佈招聘需求。來自復旦大學、同濟大學、華東師範大學、上海大學、上海電力大學、上海應用技術大學、上海交通大學、上海理工大學、上海應用技術大學、中國科學院大學等600餘名專業對口學生,通過“就業指導”以及“安排學生實習、就業、參觀”等項目,促進產學研交流,提升學生對半導體行業的瞭解,吸引更多專業人才加入到半導體產業的創新和持續發展中。 本屆展會重點推出城市主題日,以“創芯西安 共創未來”為主題的西安市集成電路產業合作交流會將展示西安市集成電路產業良好投資環境,推介西安市優惠政策和在集成電路產業的行業影響力,全面提升西安市集成電路產業頭部企業招引力度。

    時間:2020-10-14 關鍵詞: 半導體 icchina2020 ic

  • 驅動IC和RGB燈珠齊漲價,對LED顯示行業有多大影響?

    從2020年10月12日起,為應對當前晶圓成本上漲及供需緊張矛盾,驅動IC大廠將對IC產品全線提價。除此之外,主營RGB燈珠的某企業也於近日對RGB燈珠進行提價,漲幅在原有基礎上上調了4%。 這已經不是行業第一次出現原材料漲價了。此前,就有不少類似漲價的消息傳來,譬如,前段時間鬧得沸沸揚揚的PCB板漲價,以及近期某家晶振公司宣佈調整晶振產品的出貨價格。漲價觸動着LED顯示應用行業敏感的神經,不少企業聞“漲”色變。 此次驅動IC和RGB燈珠的漲價,又會給LED顯示屏企業帶來怎樣的影響?RGB燈珠和驅動IC作為LED顯示屏的核心器件,其價格上漲,勢必會影響到整個LED顯示屏產業。此前PCB板的價格上漲就直接導致了部分企業紛紛跟調產品價格。 LED顯示屏企業對於漲價一直是有慾望而無行動,雖然諸如PCB板在內的原材料一漲再漲,但很多LED顯示屏企業只能捏着鼻子自己認了。指望在競爭激烈的終端市場漲價,想法是美好的,但過程卻是痛苦的。有時為了漲上一點點價格,損失的可能是一個長期合作的客户,其得不償失才是相關企業不敢輕言漲價的原因。 此輪漲價對從事相關模組和單元板批發的企業影響最大,據相關企業負責人介紹,疫情期間,從事LED顯示屏模組批發業務的企業日子十分不好過,先是經歷了復工復產的困難、而後又經歷了PCB板、膠水等原材料漲價的考驗,這對於原本利潤微薄的企業無疑是“雪上加霜”。 因為LED顯示屏模組、批發企業是直接和原材料掛鈎、打交道的企業,對價格最為敏感。這些年來,原材料價格一直在漲,從事LED模組批發的企業由於自身原因,產品價格漲幅不大,導致利潤極其微薄。已經有部分bbgoex告別模組和單元板批發行業,轉行做工程或產品去了。本輪漲價,對於從事LED顯示屏模組批發工作的企業而言,可謂一次“大災難”。 那麼此次驅動IC和RGB燈珠的漲價對於LED顯示屏企業而言,究竟影響幾何?會不會如疫情一般籠罩着LED顯示應用企業? 對於本次RGB燈珠漲價事件,行業內大多數企業持樂觀心態,其中據某封裝企業負責人介紹,國內能夠規模生產的,像芯片、RGB燈珠、箱體這類東西的都不會出現短缺,就算是前段時間鬧得沸沸揚揚的RGB缺貨也只是2121等個別型號短時間的供應不足而已。 但對於驅動IC的漲價,行業內卻看法分歧,有的企業直言道:“這次的價格上漲有可能導致LED顯示屏價格變動”; 也有企業認為還需時間觀察,如果單純只是驅動IC漲價,顯示屏企業尚可以通過提升工藝節約成本化解本輪漲價影響。 據行業內某資深人士反映,本次驅動IC的漲價不單是因為材料成本的上漲,而更是因為供求關係緊張引起。由於美國打壓中國企業的政策升級,致使以華為為首的一批中國企業在芯片端出現“斷供”現象。 原本為華為代工的台積電等企業無法再為華為提供芯片。因而華為不得不依託於諸如三安光電等國內晶圓企業代工,繼而導致了國內供求緊張。該資深人士認為次漲價影響甚大,短時間內無法降下來,預估到明年6月前都無法緩解,因此驅動IC等依賴晶圓製程的產品在未來一段時間都將保持供求緊張態勢。 晶圓等原材料上漲的傳導效應也開始顯現,除了跟漲之外,各家企業均有自己的處理方式。 對於LED顯示屏行業而言,心理層面影響更大於實際影響。LED顯示屏企業雖然依然在為提升利潤率而努力,但在成本控制方面還是有潛力可挖的。只是在某些環節增加些微成本,尚不對企業經營構成威脅。只有部分小微企業因為利潤實在微博,無法通過內部消化,才會不得已而漲價。

    時間:2020-10-14 關鍵詞: led顯示屏 燈珠 ic

  • 電阻、二極管、三極管搭出的邏輯電路

    素材來源:快科技 編輯整理:strongerHuang 推薦閲讀: FILE、LINE等幾種C標準用法 su、sudo、sudo su、sudo -i使用和區別 提高國內訪問 GitHub 速度的幾種方法 微信公眾號『strongerHuang』,後台回覆“1024”查看更多內容,回覆“加羣”按規則加入技術交流羣。 長按前往圖中包含的公眾號關注 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-09-30 關鍵詞: 電源設計 ic

  • 不只有電源IC,安森美還承包了全球80%的汽車ADAS傳感器

    説到安森美,業內人士估計都會想到其領先的電源IC。事實上,除了為行業提供超強的電源半導體以外,安森美6年前切入的新業務傳感器也取得了快速的發展。特別的,在汽車領域,安森美圖像傳感器已佔據了超過60%的市場份額,目前市場上超過80%的汽車ADAS圖像傳感器都是安森美提供的。 安森美是如何實現這一驕人成績的?其傳感器產品又有哪些獨到之處?日前,安森美半導體舉辦智能感知策略和方案發佈會,其智能感知部全球市場和應用工程副總裁易繼輝(Sammy Yi)先生接受21ic電子網採訪,詳細解讀了安森美傳感器的制勝之道。 從摩托羅拉分拆出來的半導體新興領袖 安森美的前身是摩托羅拉半導體,1999年從摩托羅拉拆分出來後於2000年在美國納斯達克上市。經過20年的發展,安森美已躋身前20大集成器件製造商,位列第13位(2019年市場份額數據)。 安森美半導體產品主要分為三個部門:電源方案部(PSG),先進方案部(ASG),智能感知部(ISG)。相比電源產品部51%的收入貢獻,智能感知部還有很大的上升空間,但成長速度最快。安森美智能感知部成立於2014年,是通過一些戰略性兼併、併購而得。 擁有2000多項專利的現代圖像傳感器發明者 雖然安森美半導體的智能感知部成立才六年,但在成像傳感器行業卻擁有40多年的悠久歷史,具有2000多項成像專利。從其收購兼併的部分來看,安森美的成像傳感器技術可以追溯到柯達的首款百萬像素CCD,JPL為了阿波羅登月開發出的全球首款CMOS圖像傳感器(1993年),全球首款專用在汽車上的車規級CMOS圖像傳感器(2005年)等。 可以看出,安森美半導體在圖像傳感器發展歷程中創造了很多行業第一,憑藉着這些技術積澱,到目前,安森美半導體已經給市場提供了超過5億件圖像傳感器。 從三年前開始,安森美半導體又陸續收購了IBM在以色列的毫米波雷達研發中心,以及專注于飛行時間(ToF)激光雷達傳感器開發的愛爾蘭SensL公司,從而將傳感器產品擴展到雷達傳感器領域。 安森美智能感知部門有三個主要的市場:汽車、機器視覺和邊緣人工智能。 安森美在汽車智能感知領域的領先地位 在汽車成像市場(專門給人眼看),安森美的圖像傳感器擁有超過60%的市場份額,在汽車感知領域(人工智能和機器視覺),安森美圖像傳感器佔全球市場份額超過80%。 2019年,在汽車市場銷售了近一億顆傳感器,以全球汽車銷售量平均6,500萬輛來算,平均一輛車就有安森美的2個攝像頭。 另外,安森美推出了Hayabusa系列新產品,它革命性地實現了高動態範圍,是目前市場上具有最高的寬動態效果且具有網絡安全功能的圖像傳感器。 創新技術應對汽車感知新挑戰 時下的汽車就像一個架在四個輪子上的計算機,要想讓這個汽車擁有超強的感知能力,離不開各種傳感器。例如,ADAS攝像頭、倒車攝像頭、環視360度,監控、電子車鏡、駕駛員監控、乘務員監控、車內的毫米波雷達和激光雷達。 單就汽車成像而言,目前面臨着三大挑戰,一是寬動態,例如從灰暗的地庫開到正對太陽強光的户外,夜晚在對向遠光大燈照射下感知樹蔭下的行人,這些都需要圖像傳感器具有高動態範圍。二是環境温度,汽車既要能適應零下幾十度的極寒天氣,也要能適應動輒上百度的惡劣環境。三是應對LED指示牌、交通燈對圖像傳感器的挑戰。 上圖顯示Hayabusa傳感器所採用的先進技術,在這種先進技術支持下,Hayabusa系列產品一次曝光就能實現95dB,經過多次曝光可以達到120dB,下一代產品一次曝光有望能夠達到110dB,多次曝光可以達到140dB。Hayabusa所實現的寬動態範圍可以讓汽車感知更準確,幫助實現更高的安全性。 從上圖可以看出,Hayabusa傳感器的寬動態範圍讓汽車可以從昏暗地道中“看到”外面強光中的清晰場景,大大提高的安全性。 另外一個挑戰來自夜視,在幾乎沒有光的情況下,傳感器如何去“看見”目標?安森美新開發出的近紅外+(NIR+)工藝,將近紅外光電轉換效應提高了4倍。 從圖中可以看出,採用安森美NIR+技術的傳感器(下半部分),可以清晰看到沒有光環境下的目標物體,避免了安全事故的發生。 安森美傳感器在機器視覺及邊緣計算領域的創新方案 工業4.0、工業自動化、人工智能使機器視覺市場快速發展。同時,邊緣人工智能不斷地向新領域擴展,例如新零售,智慧農業、畜牧業和農業都開始了智能化的轉化。一些新興設備,特別是在新冠狀病毒以後的後疫情時期,都出現了遠程化、無人化的趨勢,這些都要求邊緣人工智能能力。而這一切都離不開傳感器的支持。 據第三方調研公司YoleDevelopment的數據,安森美在工業機器視覺領域的市場份額是第一位。 從1.3英寸固定尺寸圖像傳感器的發展趨勢來看,分辨率在逐年提升,從過去的200萬像素,500萬,800萬,1200萬,現在超過2000萬。同時,在同樣尺寸下圖像傳感器隨着像素的增大,圖像質量也在不斷提高,帶寬也在逐年提高。 安森美最新推出的XGS系列圖像傳感器,從200萬像素到4500萬像素,有11款不同像素產品。該系列具有一個獨特的優勢,客户只需要兩塊線路板設計就能支撐11款不同的傳感器,在設計上節省了大量的成本和時間。另外一個創新是,在29×29mm2攝像頭中可以放進1600萬像素傳感器。 上圖是安森美即將推出的一款4K產品的寬動態效果圖。在這種強光環境下,人眼是不能看的,但這款圖像傳感器不僅能夠看清場景,連燈絲都能看得非常清楚。在0.2cd/cm2光照量非常低和190,000cd/cm2光照量非常高兩種情況並存時,兩處場景都能看清,遠遠超過了人眼能力。 安森美超低功耗傳感器ARX3A0,功耗不到2.5mW/s/幀,而且有自動喚醒功能,平時在休眠狀態,不耗費任何電,一旦發覺到有物體移動時,會自己喚醒,同時採用了NIR+製程,夜間成像效果也非常好。它的尺寸也非常小,1/10英寸,成本很低。 傳統的激光雷達使用的技術是APD,也叫雪崩光電二極管。它的缺點是體積大、功耗高、偵測距離範圍有限、一致性不好。安森美採用了SiPM(硅光電倍增管),優勢在於它的增益是APD的1萬倍,靈敏度是APD的2000倍,工作電壓要求非常低,只要30V,而APD則要250V。它的一致性非常好,特別在大批量生產的時候有助於批量化。 在激光雷達產品上,安森美可以提供整體、系統的方案。在激光雷達功能框架圖中,安森美公司在激光源、激光素髮射、激光素接收的器件上與合作伙伴合作,其他電子線路和激光接收器則是由安森美自己開發。 除了激光雷達,安森美還提供毫米波雷達,適用範圍有:L1、L2、L3、L4、L5。在不同自動駕駛的級別上有不同的應用。安森美的專有毫米波雷達技術 “MIMO+”,能夠提供4D信息,可用於L3層級的自動駕駛。與競爭方案相比,安森美的MIMO+加上實際通道、虛擬通道,要比競爭對手多一倍的通道。同樣性能的毫米波雷達,安森美的可以節省50%的mmIC器件、減少優化控制器、線路板,可以降低總體的成本。我們也會開發雷達信號處理,我們的對外聯接接口是按照行業標準,不管是現有標準還是未來發展標準。

    時間:2020-09-30 關鍵詞: 安森美 傳感器 電源 ic

  • 奮楫篤行,金昇陽榮獲2020“中國IC成就獎之電源管理IC”

    6月28日,由《電子工程專輯》主辦的“2020年度中國IC設計成就獎頒獎典禮&中國IC領袖峯會”在上海舉行,廣州金昇陽科技有限公司(以下簡稱“金昇陽”)憑藉SCM1201A榮獲中國IC成就獎之電源管理IC。 中國IC成就獎連續舉辦19屆,旨在表彰那些在中國大陸IC設計界佔領先地位、展現卓越設計能力與技術服務水平的公司,是中國電子業界最重要的技術獎項之一。榮獲此次殊榮,是對金昇陽為中國電源管理IC做出的努力的極大肯定與鼓勵。 本次獲獎的SCM1201A是一款集成了功率MOS對管的推輓電源的控制器,包含軟啓動能、輸出短路保護、過温保護三項關鍵技術。該芯片內部功率MOS管的驅動對稱程度高,從而減小推輓拓撲的偏磁程度。在4V低輸入電壓下可正常工作,VIN引腳在40V高輸入電壓的衝擊下也不會損壞。產品質量高,穩定性強。 金昇陽深耕電源領域,不斷超越自我,形成企業自主研發和技術創新體系。願景攜手社會各界與各產業,共同推進“中國芯”時代。

    時間:2020-09-30 關鍵詞: 電源管理 金昇陽 ic

  • 常用的MEMS封裝形式

    MEMS封裝形式與技術主要源於IC封裝技術。 IC封裝技術的發展歷程和水平代表了整個封裝技術(包括MEMS封裝和光電子器件封裝)的發展歷程及水平。 目前在MEMS封裝中比較常用的封裝形式有無引線陶瓷芯片載體封裝(LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier)、金屬封裝、金屬陶瓷封裝等,在IC封裝中倍受青睞的球柵陣列封裝(BGA-Ball Grid Array)、倒裝芯片技術(FCT-Flip Chip Technology)、芯片尺寸封裝(CSP-Chip Size Package)和多芯片模塊封裝(MCM-Multi-Chip Module)已經逐漸成為MEMS封裝中的主流。 BGA封裝的主要優點是它採用了面陣列端子封裝、使它與QFP(四邊扁平封裝)相比,在相同端子情況下,增加了端子間距(1.00mm,1.27mm,1.50mm),大大改善了組裝性能,才使它得以發展和推廣應用。 21世紀BGA將成為電路組件的主流基礎結構。 從某種意義上講,FCT是一種芯片級互連技術(其它互連技術還有引線鍵合、載帶自動鍵合),但是它由於具有高性能、高I/O數和低成本的特點,特別是其作為“裸芯片”的優勢,已經廣泛應用於各種MEMS封裝中。 CSP的英文含義是封裝尺寸與裸芯片相同或封裝尺寸比裸芯片稍大。日本電子工業協會對CSP規定是芯片面積與封裝尺寸面積之比大於80%。 CSP與BGA結構基本一樣,只是錫球直徑和球中心距縮小了、更薄了,這樣在相同封裝尺寸時可有更多的I/O數,使組裝密度進一步提高,可以説CSP是縮小了的BGA。 在MCM封裝中最常用的兩種方法是高密度互連(High Density Interconnect簡稱HDI)和微芯片模塊D型(Micro Chip Module D簡稱MCM-D)封裝技術。 高密度互連(HDI)MEMS封裝的特點是把芯片埋進襯底的空腔內,在芯片上部做出薄膜互連結構。 而微模塊系統MCM-D封裝是比較傳統的封裝形式,它的芯片位於襯底的頂部,芯片和襯底間的互連是通過引線鍵合實現。 HDI工藝對MEMS封裝來説有很大的優越性。由於相對於引線鍵合來説使用了直接金屬化,芯片互連僅產生很低的寄生電容和電感,工作頻率可達1GHz以上。 HDI還可以擴展到三維封裝,並且焊點可以分佈在芯片表面任何位置以及MCM具有可修復的特性。

    時間:2020-09-29 關鍵詞: 芯片製造 芯片封裝 ic

  • 如何判斷電路中的IC是在工作?

    如何準確判斷電路中集成電路IC的是否工作,是好是壞是修理電視、音響、錄像設備的一個重要內容,判斷不準,往往花大力氣換上新集成電路而故障依然存在,所以要對集成電路作出正確判斷。 1、首先要掌握該電路中IC的用途、內部結構原理、主要電特性等,必要時還要分析內部電原理圖。除了這些,如果再有各引腳對地直流電壓、波形、對地正反向直流電阻值,那麼,對檢查前判斷提供了更有利條件;2、然後按故障現象判斷其部位,再按部位查找故障元件。有時需要多種判斷方法去證明該器件是否確屬損壞。3、一般對電路中IC的檢查判斷方法有兩種:一是不在線判斷,即電路中IC未焊入印刷電路板的判斷。這種方法在沒有專用儀器設備的情況下,要確定該電路中IC的質量好壞是很困難的,一般情況下可用直流電阻法測量各引腳對應於接地腳間的正反向電阻值,並和完好集成電路進行比較,也可以採用替換法把可疑的集成電路插到正常設備同型號集成電路的位置上來確定其好壞。當然有條件可利用集成電路測試儀對主要參數進行定量檢驗,這樣使用就更有保證。還有在線檢查判斷,即集成電路連接在印刷電路板上的判斷方法。在線判斷是檢修集成電路在電視、音響、錄像設備中最實用的方法。以下分幾種情況進行闡述:1、直流工作電壓測量法: 主要是測出各引腳對地的直流工作電壓值;然後與標稱值相比較,依此來判斷集成電路的好壞。用電壓測量法來判斷集成電路的好壞是檢修中最常採用的方法之一,但要注意區別非故障性的電壓誤差。測量集成電路各引腳的直流工作電壓時,如遇到個別引腳的電壓與原理圖或維修技術資料中所標電壓值不符,不要急於斷定集成電路已損壞,應該先排除以下幾個因素後再確定。1)所提供的標稱電壓是否可靠,因為有一些説明書,原理圖等資料上所標的數值與實際電壓有較大差別,有時甚至是錯誤的。此時,應多找一些有關資料進行對照,必要時分析內部原理圖與外圍電路再進行理論上的計算或估算來證明電壓是否有誤。2)要區別所提供的標稱電壓的性質,其電壓是屬哪種工作狀態的電壓。因為集成塊的個別引腳隨着注入信號的不同而明顯變化,所以此時可改變波段或錄放開關的位置,再觀察電壓是否正常。如後者為正常,則説明標稱電壓屬某種工作電壓,而這工作電壓又是指在某一特定的條件下而言,即測試的工作狀態不同,所測電壓也不一樣。3)要注意由於外圍電路可變元件引起的引腳電壓變化。當測量出的電壓與標稱電壓不符時可能因為個別引腳或與該引腳相關的外圍電路,連接的是一個阻值可變的電位器或者是開關(如音量電位器、亮度、對比度、錄像、快進、快倒、錄放開關、音頻調幅開關等)。這些電位器和開關所處的位置不同,引腳電壓會有明顯不同,所以當出現某一引腳電壓不符時,要考慮引腳或與該引腳相關聯的電位器和開關的位置變化,可旋動或拔動開頭看引腳電壓能否在標稱值附近。4)要防止由於測量造成的誤差。由於萬用表表頭內阻不同或不同直流電壓檔會造成誤差。一般原理上所標的直流電壓都以測試儀表的內阻大於20KΩ/V進行測試的。內阻小於20KΩ/V的萬用表進行測試時,將會使被測結果低於原來所標的電壓。另外,還應注意不同電壓檔上所測的電壓會有差別,尤其用大量程檔,讀數偏差影響更顯著。5)當測得某一引腳電壓與正常值不符時,應根據該引腳電壓對IC正常工作有無重要影響以及其他引腳電壓的相應變化進行分析,才能判斷IC的好壞。6) 若IC各引腳電壓正常,則一般認為IC正常;若IC部分引腳電壓異常,則應從偏離正常值最大處入手,進口泵檢查外圍元件有無故障,若無故障,則IC很可能損壞。7)對於動態接收裝置,如電視機,在有無信號時,IC各引腳電壓是不同的。如發現引腳電壓不該變化的反而變化大,該隨信號大小和可調元件不同位置而變化的反而不變化,就可確定IC損壞。8)對於多種工作方式的裝置,如錄像機,在不同工作方式下,IC各引腳電壓也是不同的。以上幾點就是在電路中IC沒有故障的情況下,由於某種原因而使所測結果與標稱值不同,所以總的來説,在進行集成塊直流電壓或直流電阻測試時要規定一個測試條件,尤其是要作為實測經驗數據記錄時更要注意這一點。通常把各電位器旋到機械中間位置,信號源採用一定場強下的標準信號,當然,如能再記錄各功能開關位置,那就更有代表性。如果排除以上幾個因素後,所測的個別引腳電壓還是不符標稱值時,需進一步分析原因,但不外乎兩種可能。一是集成電路本身故障引起;二是集成塊外圍電路造成。分辨出這兩種故障源,也是修理集成電路家電設備的關鍵。2、交流工作電壓測量法: 為了掌握IC交流信號的變化情況,可以用帶有dB插孔的萬用表對IC的交流工作電壓進行近似測量。檢測時萬用表置於交流電壓擋,正表筆插入dB插孔;對於無dB插孔的萬用表,需要在正表筆串接一隻0.1~0.5uF隔直電容。該法適用於工作頻率比較低的IC,如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。由於這些電路的固有頻率不同,波形不同,所以所測的數據是近似值,或者作為有無。 ‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧  END  ‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 免責聲明:本文系網絡轉載,版權歸原作者所有。如有問題,請聯繫我們,謝謝! 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-09-28 關鍵詞: 集成電路 ic

  • 強勁增長,純晶圓代工市場創歷史新高

    IC Insights最近發佈了2020年McClean報告的8月更新,其中包括對全球晶圓代工市場的兩部分分析中的第一篇。純晶圓代工廠包括TSMC,GlobalFoundries,UMC和SMIC。IDM代工廠定義為除了製造自己的IC之外還提供代工服務的公司。IDM代工廠的例子有三星和英特爾。 在5G智能手機中對應用處理器和其他電信設備銷售的需求不斷增長的推動下,純晶圓代工市場在2019年下降1%之後,今年有望強勁增長19%(見圖1)。IC Insights預測2020年將出貨2億部5G智能手機(有些預測為2.5億部),高於2019年的約2000萬部。 圖1如果實現,則19%的增長將標誌着純晶圓代工市場自2014年的18%增長以來最強勁的增長率。在2019年之前,純晶圓代工市場上一次於2009年下降(-9%)。 如圖所示,IC Insights預計在整個預測期內不會再出現純晶圓代工市場下降的情況。有趣的是,在過去的16年(2004-2019年)中,純晶圓代工市場在9年中增長了9%或以下,而在其它7年中均以兩位數的速度增長。顯然,在過去的15年中,純晶圓代工市場經歷了一系列的繁榮和蕭條,但總體保持穩健地增長態勢。 預計到2020年,純晶圓代工佔代工總銷售額的81.4%,低於2014年的89.3%。從2019年到2024年,純晶圓代工的複合年增長率(CAGR)預計為9.8% ,比2014年2019年的6.0%複合年增長率高出3.8個百分點,並且超過了同一預測期內整個IC市場預期7.3%的複合年增長率。

    時間:2020-09-23 關鍵詞: 晶圓代工 ic

  • 電源技術問答整理,你值得收藏!

    通常來説電源轉換 IC 而言,一個日益增強的趨勢是,提供多輸出器件,例如 6 到 8 個通道,而且所有通道都是同步降壓型轉換器,以在很寬的電流範圍內實現高效率轉換,同時以高於 2MHz 的開關頻率工作,以保持儘可能小的外部組件尺寸和解決方案佔板面積。下面是小編總結的一些電源方面的問題。 1. 面對越來越嚴格的能效等級,電源半導體產品的主體發展趨勢和市場需求是什麼? As the requirements imposed on energy efficiency ratings become increasingly stricter, what are the general development trends and market demands for power semiconductor products? 答 1:今天電源產品製造商面臨的兩大挑戰也許是:在產品壽命期內降低系統的總體擁有成本;就功耗而言使系統更經濟,即提高工作效率以使系統更“綠色”。儘管電源管理對新式電子系統的可靠工作至關重要,但是在今天的系統中,穩壓器也許是仍然存在的最後“盲點”之一,人們沒有辦法直接配置或監視關鍵電源系統工作參數。因此,電源設計師一直被迫使用一大堆混在在一起的排序器、微控制器和電壓監察器,以設定基本穩壓器的啓動和安全功能。數字可編程 DC/DC 轉換器已經上市很多年了,特別是具備 VID 輸出電壓控制的 VRM 內核電源。不過,直接從穩壓器監視工作狀態信息的能力一直缺失,尤其是直接監視實時電流的能力。 使用標準串行數字總線 (例如 I2C) 可與數字 DC/DC 轉換器實現簡單和高效率的通信,PMBus 等新出現的標準方便了組件互操作性的實現。重要的穩壓器參數 (包括啓動特性和定時、輸出電壓和電流限制、裕度調節規格、以及過壓和欠壓監控限制) 都能以數字方式直接設定,而不用電阻器和耗費空間的排序及監視產品來設定。此外,諸如温度以及輸入和輸出電壓及電流等關鍵工作參數可以得到常規監視,並用來優化系統性能和可靠性。 2. 從目前的技術發展來看,如何提升系統級電源產品的整體工作效率? 如何通過核心器件實現電源系統的高效率工作提升電源效率最大的難點在哪裏? On the basis of present technology development, in which ways can the overall efficiency of system power products be improved? How can the high efficiency of power system be achieved via core devices? What is the biggest obstacle to improving power efficiency? 答 2:系統設計師需要克服的一個重大障礙是,器件處於低功率或備用模式時的功耗,因為這時仍然從電池或電源插座吸取電流。因此,自上世紀 90 年代早期開始,凌力爾特一直生產同時具備高效率轉換和低靜態電流的電源管理 IC。通過採用新的設計方法,以在電源管理和轉換 IC 中,在負載電流很大時實現高效率轉換,我們可以應對這一挑戰。同時,當這些 IC 置於備用或停機模式時,很多新的電源轉換產品也具備了較低的靜態電流,以便設計師能非常容易地發現合適的產品,以使其最終系統能更加環保。 凌力爾特在很多電源管理 IC 中採用了已獲專利的突發模式 (Burst Mode) 技術。這種技術最大限度地減小了 IC 本身在備用模式時所需的電流。在很多情況下,這種備用靜態電流低至 2.5uA。 3. 面對要求不斷嚴格的能效等級,如何看待目前的數字電源管理和傳統的模擬電源管理技術的市場前景和各自的優勢? How should we interpret the market prospects and respective advantages of current digital power management technologies and traditional analog power management technologies as the requirements imposed on energy efficiency ratings become increasingly stricter? 答 3:如果數字電源設計正確,就可以降低數據中心能耗、加快產品上市、具備卓越的穩定性和瞬態響應、並在諸如網絡設備中提高系統總體可靠性。 網絡設備的系統設計師需要提高系統的數據吞吐量和性能,並增加功能。同時,還有一種壓力,就是降低系統總體功耗。數據中心面臨的挑戰是,通過重新安排工作流程,並將作業轉移到未得到充分利用的服務器上以使其他服務器能停機,來降低總體功耗。為了滿足這些要求,有必要知道最終用户設備的功耗。恰當設計的數字電源管理系統可向用户提供功耗數據,允許做出智能能源管理決策。 此外,數字電源系統管理的一個主要好處是,設計成本降低,且產品能更快上市。採用一種具直觀圖形用户界面 (GUI) 的綜合開發環境可高效地開發複雜的多電源軌系統。另外,此類系統還可通過該 GUI 實現變更 (取代了“白線”安裝焊接法),從而簡化了線路內測試 (ICT) 和電路板調試。另一個好處是,由於有實時遙測數據可用,所以有可能預測電源系統故障,並採取預防措施。也許最重要的是,具備數字管理功能的 DC/DC 轉換器使設計師能開發“綠色”電源系統,在負載點、電路板、支架甚至安裝階段,以最低限度的能源使用量,達到目標性能 (計算速度、數據傳輸速率等),從而在產品的壽命期內,降低基礎設施成本和總體擁有成本。 凌力爾特的 LTC3880 是一款雙輸出同步降壓型 DC/DC 電流模式控制器,具備集成的電源 FET 柵極驅動器以及可通過基於 I2C 的 PMBus 使用的全面電源管理功能。該產品的高精度基準和温度補償型模擬電流模式控制環路可提供 ±0.5% 的 DC 準確度、簡易型補償 (可獨立於操作條件進行校準)、逐週期電流限制、快速和準確的均流、以及針對電壓和負載瞬變的卓越響應性能,並且沒有采用“數字”控制之產品所常見的任何 ADC 量化關聯誤差。LTC3880 採用 16 位數據採集系統,提供輸入和輸出電壓及電流、佔空比以及温度的數字回讀。該器件還具備故障記錄功能,該功能通過一箇中斷標記和一個存儲了故障前瞬間轉換器工作狀態的“黑匣子”記錄器來實現。通過凌力爾特的 LTpowerPlay™ 開發軟件和 GUI 接口,多軌系統的開發就更加方便了。 4 電源產品是個技術發展相對平穩和緩慢的行業,您認為最近有哪些創新性的技術可以給未來電源市場帶來重要的變化,或者説,哪些技術將改變電源應用的格局? Power product is an industry of relatively steady and slow technology development, from your point of view, which recent innovative technologies can bring critical changes to the future power market? In other words, which technologies will transform the layout of power applications? 答 4:目前在電源管理領域有很多熱點技術,而新技術的一個典型例子是來自可替代能源領域。顯然,任何專注於應對這一領域的電源管理產品都將有極大的增長潛力。 因此,凌力爾特最近推出了能量收集產品系列,以專門服務於這個新市場。這些產品方便了環境能源非常少量的收集和管理,使該能源能用來執行各種功能,例如監視大樓中的 HVAC 系統,從而使能源利用效率更高。客户的積極響應令我們吃驚,他們已經開發了很多新的產品理念,如果沒有我們的產品,這些理念是不可能出現的。因此我們認為,我們的產品未來在這一不斷演變的市場上有着極大的潛力。因此,我們將繼續開發和推出專門針對這一市場的產品。 在我們周圍存在着許許多多的環境能量,能量收集的傳統方法一直是藉助太陽能電池板和風力發電機。不過,新的收集手段允許我們利用各種各樣的環境能量源來產生電能。此外,重要之處並非電路的能量轉換效率,而是更多地在於可為其供電的“平均收集”能量值。例如:熱電發生器可將熱量轉換為電力、壓電元件可轉換機械振動、光伏元件用於轉換陽光 (或任何光子源)、而流電元件則可從濕氣實現能量轉換。這使得能夠給遠程傳感器供電或對電能存儲器件 (例如:電容器或薄膜電池) 進行充電,從而可為微處理器或發送器實施遠程供電,而無需使用本地電源。這反過來又為將凌力爾特的能量收集產品用作潛在的解決方案帶來了機會。 可替代能源帶來了很多機會,其中一個非常典型的例子是太陽能供電的電子設備市場。隨着各公司不斷尋求降低能耗的方式,該市場也在持續增長。例如,我們來看一下智能電錶。這類電錶用在智能電網上,希望由環境能源供電,以降低工作所需的能源成本。一個可行和充足的能源是太陽能。不過,因為太陽能是易變和不可靠的,幾乎所有太陽能供電的設備都具備可再充電電池。因此,一個重要的目標是,抽取儘可能多的太陽能以給這些電池快速充電,並保持它們的充電狀態,以在沒有太陽可用時將電池用作能源。 5 不斷提升的能效等級,特別是白金甚至鈦金牌電源的出現,對電源設計提出哪些更多的要求,除了半導體核心器件在性能上需要進行改進之外,在電源設計中還有哪些地方可以幫助設計者設計更高效的電源? What kind of additional requirements have the increasingly enhanced energy efficiency ratings, especially the emergence of platinum-level and titanium-level power efficiency, imposed upon power design? In addition to performance improvement needed for core semiconductor devices, what other efforts should be made in power design to help designers develop more efficient power? 答 5:有很多已有和新出現的標準在促進電源性能方面的創新。一個明顯的例子是能源之星 (EnergyStar),該標準針對家中或辦公室內始終插入電源的設備。為了達到這個標準的要求,電源連接到 AC 電源插座時,必須僅抽取不到 500mW 的功率。另一個例子是歐洲政府出台針對新建築物的法規,強制要求實現更低功耗。這些法規要求,與以前建造的舊建築物相比,新建築物的總體功耗必須低 30%。這就給電源製造商帶來了很多挑戰,要求他們尋找新和創造性的方式以降低產品在正常工作模式和備用模式時的功耗。 6 對於電源整體設計來説,貴公司是否有相應的完整解決方案幫助設計者快速設計符合要求的電源產品,在滿足白金甚至鈦金級電源效率的要求方面,貴公司有哪些新技術和新產品提供給開發者? For overall power design, does your company have the corresponding comprehensive solutions to help designers quickly design power products meeting their requirements? To reach platinum-level and titanium-level power efficiency, which new technologies and products do you provide for developers? 答 6:見答 4。 7 現在越來越多的便攜設備在加大對性能需求的同時,對電源功耗提出了更高的要求,如智能手機、平板電腦等,針對這方面的需求,您認為未來便攜電源產品設計的主要發展需求和發展難點在哪裏? Today, more and more portable devices such as smart phones and tablets have higher requirements for power consumption while increasing requirements for performance. In this regard, what are the main development demands and difficulties for the future portable power product design? 答 7:就便攜式產品的設計而言,存在很多系統設計師必須克服的關鍵問題。然而,最重要的問題之一,是怎樣讓熱量從設備中散發出來,因為這類設備沒有風扇用來實現冷卻。因此,這類產品內部使用的電源轉換 IC 必須是熱效率非常高的,因為電源轉換效率欠佳會產生熱量。這種熱量是在能量傳遞過程中於穩壓器中損失的功率產生的。此外,在很多便攜式設備內部,用於實現冷卻的空氣流動有限,散熱器也受到限制,因為這類產品本身的尺寸和可用空間有限。這導致在小型、緊湊的外形中,裝入的是密集排列的印刷電路板。因此,將熱量排出產品的途徑有限。這種熱量就等於工作環境温度的上升,這又可能對產品的可靠性產生不利影響。 DC/DC 轉換器的轉換效率可以按照輸出功率除以輸入功率計算,或者換一種方式,按照負載功率除以輸入功率計算。在電源轉換過程中產生熱量所導致的結果是,系統設計師必須仔細考慮應該使用什麼類型的穩壓器。因此,在很多製造商中出現的一種常見的趨勢是,採用開關穩壓器而不是更簡單的線性低壓差穩壓器,因為開關穩壓器可以更高的效率工作。 在幾乎任何類型的電池供電便攜式設備中都需要多個電壓軌,這種情況非常常見。這些軌包括多個微處理器軌和大量特別功能電壓軌。因此,對提供必要功率的電池需求已經極大地增加了。不過,電池的外形尺寸一直保持相對較小,而且功率密度僅實現了適度增加。結果,在幾乎任何手持便攜式設備中,電池運行時間和良好的熱量管理都成為了非常重要的賣點。這導致需要非常緊湊和高效率的多輸出同步降壓型轉換器。 同步降壓型轉換器與傳統線性穩壓器相比,已經在電池運行時間上有了極大改進。此外,這類轉換器提供 96% 左右的效率,幾乎無需任何散熱器。

    時間:2020-09-21 關鍵詞: 電源 vrm ic

  • 我攤牌了,我知道PLL/VCO技術應該怎麼提升性能~

    好文章當然要分享啦~如果您喜歡這篇文章,請聯繫後台添加白名單,歡迎轉載喲~ 多年來,微波頻率生成使工程師面臨嚴峻的挑戰,不僅需要對模擬、數字、射頻(RF)和微波電子有深入的瞭解,尤其是鎖相環(PLL)和壓控振盪器(VCO)集成電路組件方面,還需要具備可調濾波、寬帶放大以及增益均衡等專業知識。 本文重點介紹近些年微波電路設計取得的進步,這意味着現在採用硅芯片技術中的低相位噪聲VCO可以覆蓋一個倍頻程範圍。在這樣的IC上集成輸出分頻器可以支持幾個低頻倍頻程範圍,輸出集成倍頻器則支持單個IC生成高達32 GHz的頻率。隨着小數N分頻PLL頻率合成器技術的進步,現在微波頻率範圍rms抖動可低至60fs,具備無限小的頻率分辨率和極小的雜散信號。低插入損耗寬帶濾波器可以和這些集成PLL/VCO IC配合使用,以提高整個系統的頻譜性能,大大降低了微波和毫米波本地振盪器帶來的相關挑戰。 簡介 本地振盪器(LO)是現代通信、汽車、工業和儀器儀表應用中的關鍵組件。無論從基帶到RF實施上變頻還是反過來的下變頻,為汽車雷達、材料檢測應用生成掃頻,或者為上述應用電路的構建和測試而開發儀器儀表,我們生活的很多方面都存在LO。電路和工藝技術的進步已幫助降低了此類電路的成本、複雜性和麪積;與過去需要更廣泛地混合使用有源和無源技術相比,現代集成電路大大降低了LO的設計難度。 想看教程?長按觀看,教你如何創建定製VCO~ 過去,適用於GSM等2G通信應用的大部分LO都使用與ADI公司的ADF4106類似的整數N分頻PLL,以及窄帶T封裝VCO(例如VCO190-1846T)。在大多數情況下,這些VCO的高品質因素(Q)使其非常易於滿足該嚴苛標準下的相位噪聲規格。那時的手機一般只支持一種無線標準,標準本身的數據速率也有限(雖然2G網絡出色的覆蓋率幫助手機獲得了廣泛的市場認可)。基站LO一般是使用多種IC和VCO子模塊組合而成的模塊,如圖1所示。 圖1. 適用於無線通信的LO模塊。 對無線數據速率以及與不同的全球無線標準兼容性的需求不斷提高,促進了寬帶VCO的發展,與窄帶VCO相比,寬帶VCO有助於實現更寬的頻率覆蓋範圍,支持更多的新可用頻譜。支持這種數據吞吐量的微波回程網絡也承受着壓力,需要支持高階調製率,可針對不同範圍和標準進行配置,同時幫助網絡提供商降低工程難度,提高投資回報率。為了支持這些網絡開發,典型的信號分析儀使用了龐大笨重的釔鐵石榴石(YIG)振盪器,以及使用類似技術的笨重濾波器。 VOC改進 開發集成硅芯片微波VCO面臨的最大技術挑戰是可用晶圓製造工藝中的Q值有限。在許多情況下,繞線電感(用於T封裝VCO中)的Q值可能從數百的典型值降至剛剛超過10,因Leeson方程的限制,Q值會嚴重影響相位噪聲,根據此方程,相位噪聲LPM(公式1)與VCO Q值成平方反比,和輸出頻率成平方正比關係。 基於砷化鎵(GaAs)或鍺硅(SiGe)製造的寬帶單核VCO通過將VCO的調諧端口範圍從5V(大部分硅基PLL電荷泵可用的典型電壓)擴展至15V、甚至30V來解決範圍與噪聲的問題。這意味着,諧振器Q可以保持不變,但擴展的變容二極管可調諧性可以提供更廣泛的調諧範圍,但不會惡化相位噪聲。這種更高調諧範圍帶來的挑戰,可以通過使用有源低通濾波器以將電荷泵電壓(典型值為5V)轉換為15 V或30 V來解決(參見圖2中HMC733的調諧範圍)。這些有源濾波器需要使用高壓低噪聲運算放大器。所以,典型的微波LO將由PLL(如ADF4106),運算放大器以及GaAsVCO組成,在很多情況下,還需要一個外部分頻器,將VCO信號分頻至PLL允許的最大輸入頻率(對於ADF4106,為6 GHz)。GaAs VCO一般在S頻段和更高頻段下運行,因為諧振器電路一般在2GHz以上提供最佳性能。設計電路板時更要格外小心,這需要熟知電源、模擬以及RF和微波領域專業知識。PLL濾波器的設計及其性能仿真都需要具備豐富的控制理論和噪聲建模經驗,並且需要熟悉每個組件。完成這些任務所需的經驗並不容易獲得,一般只有從事硬件設計工作幾十年的資深人士才具備。 圖2. HMC733調諧範圍。 目前有多種技術可以解決低Q值問題。在類似ADF4360的產品系列中,裸片(粘接到焊盤上)表面焊線的Q值大約為30。厚金屬電感也可以改善Q值,改進變容二極管Q也有助於大幅提高諧振器Q值,從而進一步改善相位噪聲性能。適合製造高頻率VCO和N分頻器電路的BiCMOS工藝,以及用於開關各種電容的CMOS邏輯電路,這些意味着寬帶PLL和VCO IC切實可行,其小巧的尺寸和更寬的頻率範圍則使其迅速得到無線市場的認可。 許多寬帶LO都採用了這種方法。覆蓋整個倍頻範圍的VCO很有優勢,這是因為一組分頻器可生成的頻率範圍只受最低可用VCO頻率和最高可用分頻比限制。採用硅芯片工藝的VCO設計取得了重 大突破,通過開關不同的電容組,可以將VCO範圍劃分為多個子頻段。這支持實現更廣泛的頻率覆蓋範圍,無需通過降低振盪器諧振器Q值來犧牲相位噪聲,同時支持使用電壓較低的電荷泵,所以無需使用額外的運算放大器,其需要更高的電源電壓軌。進一步改善可將VCO頻段的數量從數十個增加到數百個,甚至在單片IC上開發其他單獨的重疊VCO內核(按需進行開關),從而進一步優化相位噪聲,例如ADF4371(圖3)。從圖2中HMC733的單核VCO與圖3的ADF4371的多頻段VCO之間,可以看出明顯的不同。 圖3. ADF4371頻率與VTUNE的關係。 從圖2的頻率與VTUNE關係圖中可以看出,HMC733調諧電壓與輸出頻率成正比,而在圖3中,調諧電壓基本上在VTUNE的1.65V目標值的幾百毫瓦以內。智能頻段選擇邏輯或自動校準電路意味着用户無需針對頻率開發頻段查找表,且存在足夠裕量,可以保證在電源電壓範圍,尤其是温度電壓範圍內可靠運行。 PLL改進 實現更高的數據速率需要具有更低的向量誤差調製(EVM)速率(圖4),這主要取決於窄帶無線應用中PLL頻率合成器的帶內相位噪聲貢獻;使用200kHz信道柵提供1.8GHz輸出需要很高的N(9000),因而N分頻器的20log(N)貢獻會在頻段內產生嚴重影響。高階調製速率(例如64QAM)需要更低的EVM,這會推動開發、採用和部署小數N分頻頻率合成器,比如ADF4153A和ADF4193,這會使信道柵與PFD頻率無關,從而大幅降低帶內噪聲。將ADF4106和ADF4153A進行比較(比較圖5和圖6),可以明顯看出這一優勢,在1kHz頻偏下,帶內噪聲從–90dBc/Hz降至–105dBc/Hz。我們使用ADIsimPLL™來計算,它可以對ADI公司的所有PLL產品進行了仿真。 圖4. 相位誤差QPSK。 圖5. 帶VCO-1901846T的整數N分頻ADF4106。 圖6. 帶VCO-1901846T的小數N分頻ADF4153A。 小數N分頻還具有額外的優勢,由於PFD頻率更高,支持的環路帶寬更寬,因此鎖定時間更短。利用多個電荷泵失調電流和∑-∆擾動功能,可將小數N雜散降低到可接受的水平。ADF4193和 ADF4153A分別支持26MHz和32MHz PFD頻率,更高的PFD頻率也允許用户進一步降低N,由於整數邊界雜散(IBS)的發生率和影響較小,因此可進一步改善EVM並簡化頻率規劃。ADF4371採用的最新PLL拓撲支持高達160MHz的PFD頻率。小數N分頻器件頻率分辨率的改善(小數調製器從12位分辨率增加到39位分辨率)也意味着PLL可用於生成幾乎所有分辨率達到毫赫(MHz),且精度極高的頻率。 圖7. ADF4371。 過去,使用小數N分頻器件遇到的主要阻礙在於存在很高的小數雜散,這些雜散由∑-∆調製器生成,會降低頻譜純度,因此需要工程師付出更多努力,以減少或消除其影響。由於ADF4371具有較低的小數雜散,並且沒有整數邊界,所以乾淨頻譜意味着可以花費更少時間來研究、調試,或者從一定程度上消除了這些煩人的頻率生成偽影帶來的影響。較低的帶內整數邊界雜散(–55dBc)意味着一旦經PLL濾波器濾波,雜散就可以得到有效衰減。例如,如果將40kHz濾波器用於400 kHz信道柵,那麼濾波器提供35dB衰減意味着距離整數邊界最近信道的雜散為–90dBc。能夠使用高達160MHz的高PFD頻率意味着整數邊界出現的機率更低,相比使用32MHz PFD頻率,使用160MHz PFD頻率時,其機率低5倍。 由於PFD頻率和頻率分辨率的提高,PLL品質因數(FOM)也有顯著提升,例如從ADF4153的–216dBc/Hz提高到ADF4371的–233dBc/Hz(小數模式)。將圖5和圖7中的ADIsimPLL曲線進行比較,ADF4106在整數模式下,採用200kHz PFD頻率設置,10kHz環路帶寬,生成1.85GHz輸出,而ADF4371則採用160MHz PFD頻率設置,150kHz環路帶寬。可以看出,在1kHz頻偏時存在20dB的差異,PLL頻率合成器技術取得明顯進步。 同時可以看出,存在着1ps和51fs的集成rms相位抖動的差異。值得注意的是,與過去由電感Q決定rms噪聲性能相比,帶內噪聲的大幅改善(通過低FOM和小數N分頻實現)允許用户將環路濾波器帶寬增加至150kHz,從而抑制此帶寬內的VCO噪聲,並降低10kHz至100kHz範圍內的惡化,後者一般決定rms噪聲。為實現這一帶內相位噪聲的改善目標,採用更高規格的PLL頻率參考源至關重要,通過改進此類方法的性能和靈活性,大多數用户都能接受這種權衡考量方案。在某些情況下,新型小數N分頻PLL提供的更低帶內噪聲可以和使用偏移或轉換環路的PLL的結果相匹敵,後者在VCO至PFD的反饋路徑中使用了混頻器,可大大簡化要求嚴苛應用的頻率生成。 ADF4371VCO的基波頻率範圍為4GHz至8GHz,這是考慮了製造設備所使用的SiGe工藝的VCO相位噪聲性能的最佳點。為了生成更高頻率,我們使用了倍頻器。通過重新設計VCO來實現雙倍頻率範圍存在一定問題,因為噪聲的降低幅度高於通過擴展VCO的頻率範圍所預期的6dB。所以,採用了倍頻器,它將VCO範圍從8GHz擴展到16GHz,還採用了四倍頻器,將4GHz至8GHz的VCO範圍擴展到16GHz至32GHz。在每種情況下,倍頻器都會帶來一些頻率噪聲,包括VCO饋通,以及2×、3×和5×VCO頻率。為了降低濾波要求,每個倍頻器電路都包含跟蹤濾波器,以調諧輸出,最大限度提高了所需頻率與頻率噪聲的功效比。雙倍輸出的次諧波抑制一般低至45dB,四部輸出則低至35dB。 寬帶工作 從之前所示的窄帶示例中,可以看出新型PLL/VCO技術優勢明顯,但與使用HMC733VCO的HMC704PLL生成寬帶頻率相比,使用ADF4371還可以更進一步改善。用户使用分立式解決方案時面臨諸多挑戰,其目標是生成20GHz至29GHz的乾淨可變LO。 首先,HMC733VCO的輸出功率必須在板上分配,並分頻至適合HMC704的頻率,所以必須使用外部分頻器(如(HMC492),將10GHz至14.5GHz範圍分頻至HMC704允許的5GHz至7.25GHz。 然後,必須使用倍頻器(如HMC576)將10GHz至15GHz頻率範圍倍增至20GHz至30GHz。 需要使用有源低通濾波器來生成HMC733所需的調諧電壓。本示例使用ADA4625-1。這也要求運算放大器的電源電壓高到足以生成所需的調諧調壓(在本例中,為15 V)。 調諧靈敏度的變化必須在整個VCO頻率範圍內進行補償。這通常通過調節電荷泵電流,以保持電荷泵增益和VCO增益的乘積來實現。 HMC576倍頻器之後的VCO饋通約為–20dBc。ADF4371的調諧濾波器會將倍頻器產生的不必要的頻率抑制在35 dBc。這大大簡化了後續濾波。 圖8. 分立式PLL/VCO倍頻器解決方案。 相比之下,ADF4371 PLL/VCO開箱即用,只需使用一個高品質的外部參考頻率源,即可生成此頻率。可以複製 EV-ADF4371SD2Z的佈局,同時複製相應的電源管理解決方案。環路濾波器的設計也會明顯簡化,因為不需要最終用户補償靈敏度(kV)的變化,也無需使用有源濾波器元件。用户無需花費數週時間來選擇器件,也無需花費大量時間來為每個分立式組件構建仿真模型,他們可以直接使用ADIsimPLL來設計和仿真預期的性能,並通過ADF4371評估板來評估獲取準確的預期結果,因為評估結果與仿真性能非常接近。更少的組件數量和更高的集成水平能夠大幅改善系統的尺寸和重量,此外,也會大幅改善系統性能,計算得出的ADF4371集成rms抖動為60fs,而分立式解決方案的抖動為160fs。從圖9可以看出,組件數量和電路板面積均明顯節省,如果不包括必要的退耦電容和其他所需的無源器件,有源器件和功率分路器的總面積相當於96mm2,而ADF4371僅49mm2。用户也可以根據需要為VCO選擇3.3V電源,以節省功率。 圖9. ADF4371框圖。 在基波VCO模式下,ADF4371的頻譜純度達到最高,無用雜散(非帶內)僅限於VCO諧波。對於許多轉換器時鐘應用,方波本身的特性不會造成問題,可能確實合乎需要,但對於儀器儀表應用來説,寬帶雜散頻率一般必須低於50dBc。可調諧波濾波器可幫助消除這些諧波,專門設計的ADMV8416/ADMV8432非常適合對ADF4371的輸出進行濾波。 ADMV8432是一款可調諧帶通濾波器,指定中心工作頻率範圍為16GHz至32Ghz,典型 3dB帶寬為18%,典型插入損耗為9dB,寬帶抑制大於30dB,專為配合ADF4371四倍頻器輸出使用而設計。ADMV8416也是一款可調諧帶通濾波器,工作頻率範圍為7GHz至16GHz,典型 3dB帶寬為16%,典型插入損耗為8dB,寬帶抑制大於30dB,可配合ADF4371倍頻器輸出使用。 圖10. ADF4371 20 GHz輸出。 圖11. 使用ADMV8432濾波器的ADF4371 20 GHz輸出。 ADMV8416/ADMV8432均採用雙重疊頻段結構,帶內部RF開關,可以實現更寬的頻率覆蓋範圍,同時保持出色的抑制性能。頻段選擇通過對所需的電平轉換器實施數字邏輯控制來實現。電平轉 換器確保內部RF開關會進行相應的偏置,以獲得高於+34dBm的最佳輸入三階交調截點(IIP3)。 在每個工作頻段內,可調諧濾波器通過0V至15V的模擬控制電壓進行控制,消耗的電流不到1µA。這種控制電壓一般通過DAC和運算放大器驅動電路生成。例如AD5760DAC後接ADA4898運算放大器,可以為濾波器提供相對較快的調諧速度和低噪聲驅動電壓。如果調諧速度不太重要,則可以將DAC直接驅動至濾波器的調諧端口。 考慮到這些模擬調諧濾波器的性能指標,可以在犧牲少量輸出功率的情況下,去除ADF4371頻率合成器倍頻器和四倍頻器輸出中的無用諧波成分。雖然為了解決插入損耗問題,可能需要額 外的放大級,但濾波器一般比分立式開關組解決方案要小,尤其在需要寬帶可調諧性的情況下。此外,頻率合成器的雜散電平在濾波前一般為–35dBc,濾波後可以達到–55dBc。未濾波且 未使用的輸出的耦合可能會影響饋通,構建模型時應該非常小心,以實現濾波器IC的全阻帶抑制。 結論 隨着相關工藝、電路和封裝技術的各種創新,頻率生成技術不斷髮展,能夠為用户提供比以前的分立式解決方案的體積更小、功能和性能更出色的解決方案。寬帶頻率工作趨勢推動了新款IC的開發,即覆蓋多個倍頻率,頻率範圍高達32GHz。寬帶PLL/VCO提供了很高的靈活性和簡潔性,可以幫助最終用户大幅縮短設計時間和加快上市時間。 對頻譜純度的需求推動濾波IC不斷創新,這些IC與新開發的頻率合成器IC配合使用,可以提供現代無線應用所需的低相位噪聲和高頻譜純度毫米波信號源。用户可以使用免費的仿真工具ADIsimPLL來評估和比較PLL性能,還可以使用簡單易用、具有直觀界面的快速行為模型幫助進行組件選型。這款工具為設計工程師節省了大量時間,使他們無需構建大量不同領域的數學模型來預測性能。 點擊“閲讀原文”,進入PLL專區發帖提問~ 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-09-21 關鍵詞: 無線通信 ic

  • ADI高性能產品及智慧工業研討會-太原站

    Analog Devices, Inc.(簡稱ADI)將創新、業績和卓越作為企業的文化支柱,並基此成長為該技術領域最持久高速增長的企業之一。ADI公司是業界廣泛認可的數據轉換和信號處理技術全球領先的供應商,擁有遍佈世界各地的60,000客户,涵蓋了全部類型的電子設備製造商。作為領先業界40多年的高性能模擬集成電路(IC)製造商,ADI的產品廣泛用於模擬信號和數字信號處理領域。公司總部設在美國馬薩諸塞州諾伍德市,設計和製造基地遍佈全球。ADI公司被納入標準普爾500指數(S&P500 Index)。 研討會議程 時間 主題 09:30-09:45 開場 09:45-10:45 工業自動化市場方案介紹 10:45-11:00 茶歇 11:00-12:00 ADI加速度計、陀螺及慣導方案介紹 12:00-13:30 自助午餐 13:30-14:30 ADI高性能模擬方案介紹 14:30-15:30 高性能電源方案介紹 15:30-15:40 茶歇 15:40-16:40 處理器及高可靠性無線方案介紹 16:40-17:00 結語及抽獎 電話預約報名 劉先鋒:139 1032 8698 郵箱: pioneer.liu@excelpoint.com.cn ; 謝文興:182 1003 9190 郵箱:  carl.xie@excelpoint.com.cn ; 誠邀閣下參加! 關於世健 亞太區領先的元器件授權代理商 世健(Excelpoint)是完整解決方案的供應商,為亞洲電子bbgoex包括原設備生產商(OEM)、原設計生產商(ODM)和電子製造服務提供商(EMS)提供優質的元器件、工程設計及供應鏈管理服務。 世健是新加坡主板上市公司,擁有超過30年曆史。世健中國區總部設於香港,目前在中國擁有十多家分公司和辦事處,遍及中國主要大中型城市。憑藉專業的研發團隊、頂尖的現場應用支持以及豐富的市場經驗,世健在中國業內享有領先地位。 點擊“閲讀原文”,在線報名。 ↓↓↓ 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-09-18 關鍵詞: adi 模擬信號 ic

  • 在國外,IC是否已是夕陽產業?

    每一個行業都有自己的生命週期。先放一個mbalib的對行業生命週期定義: 識別行業生命週期所處階段的主要指標有:市場增長率、需求增長率、產品品種、競爭者數量、進入壁壘及退出壁壘、技術變革、用户購買行為等。下面分別介紹生命週期各階段的特徵。 1、幼稚期:這一時期的市場增長率較高,需求增長較快,技術變動較大,行業中的用户主要致力於開闢新用户、佔領市場,但此時技術上有很大的不確定性,在產品、市場、服務等策略上有很大的餘地,對行業特點、行業競爭狀況、用户特點等方面的信息掌握不多,企業進入壁壘較低。 2、成長期:這一時期的市場增長率很高,需求高速增長,技術漸趨定型,行業特點、行業競爭狀況及用户特點已比較明朗,企業進入壁壘提高,產品品種及競爭者數量增多。 3、成熟期:這一時期的市場增長率不高,需求增長率不高,技術上已經成熟,行業特點、行業競爭狀況及用户特點非常清楚和穩定,買方市場形成,行業盈利能力下降,新產品和產品的新用途開發更為困難,行業進入壁壘很高。 4、衰退期:這一時期的市場增長率下降,需求下降,產品品種及競爭者數目減少。從衰退的原因來看,可能有四種類型的衰退,它們分別是: (1)資源型衰退,即由於生產所依賴的資源的枯竭所導致的衰退。 (2)效率型衰退,即由於效率低下的比較劣勢而引起的行業衰退。 (3)收入低彈性衰退。即因需求--收入彈性較低而衰退的行業。 (4)聚集過度性衰退。即因經濟過度聚集的弊端所引起的行業衰退。 我覺得單純説IC是夕陽還是朝陽都不準確,用行業生命週期看IC最符合的是成熟期。我們來分析以下事實: 1. 從晶體管發明到現在已經70多年了,估計和很多人的爺爺差不多大了,相比90年誕生的互聯網行業,才不到30年,妥妥的年輕人。 2. 行業增長速度放緩。具體數據記不得了,半導體產業差不多複合年增長率10%左右。相比,拼多多2018年的增長是386%,抖音和短視頻2018年增長是175%。誰在長身體的年紀這還看不出? 3. 行業巨頭兼併加劇。上面這圖是過去幾十年博通的合併歷史。這就是IC行業的大趨勢,巨頭不斷兼併,新玩家非常少。上世紀90年代,CPU的玩家有十幾家,包括很多大家耳熟能詳的日本公司,而現在桌面CPU只有英特爾和AMD,手機CPU只有高通蘋果華為三星。 4. 行業壁壘越來越高 如今,芯片技術已經發展了幾十年,複雜程度不可同日而語。芯片行業的投資非常大,英特爾建一個新廠花了400億,研發週期極長。投資回報率低。投資風險大。在美國已經很少有風投會選擇投資芯片行業了。 5. 但!需求持續增長 IC和其他鋼鐵土木等傳統行業很大的一個不同點在於市場對更快更好更低能耗的需求一直很強。因為無論互聯網和計算機行業如何發展,根基依然上IC和半導體。AI爆發後,人類對算力的渴望從來沒有如此強烈,因為大家發現原來我們很多事做不到只是因為我們算的還不夠快而已! 6. IC雖然成熟,但依然有很多潛在的爆發點 摩爾定律雖然漸漸失效了,但這只是説明依靠器件小型化這條路不好走了而已,而其他方向如體系結構,依然有很多方向發展,如寒武紀的AI加速芯片,突破傳統體系,走出了一條新道路。還有一個爆發點就是量子計算,雖然量子計算具體的時間表還無法確定,但一旦實現將是又一場革命,就如曾經晶體管革命掉電子管一樣。 而這些革命什麼時候到來,我們並不知道。大多數人的人生,不過是在等待天才的誕生罷了。而天才誕生之前,一切都平淡無奇,乏善可陳。 網友:流光射寒星 先説結論:假的,無稽之談,只要所有的電子設備還在用芯片,IC產業就還不能打入夕陽。 IC行業很龐大,半導體設計製造封測代工不知道樓主指的是哪一條,IC行業的公司一般分為全流程的(IDM),著名公司如德州儀器,英特爾,三星,意法半導體,只做設計自己沒有晶圓廠的(Fabless),比如英偉達,AMD,只負責製造的(Foundry),比如台積電。整個IC行業從上世紀60年代開始,依靠摩爾定律作為指導綱領,飛速發展了四十多年,期間帶來的豐厚利潤有多大,樓主看看台灣日本韓國的過去幾十年的經濟增長就知道了。但是隨着行業發展,整個產業正在逐漸細化,全面的IDM公司逐漸不如Fabless和Foundry發展快速,而隨着工藝的進步,迭代升級所帶來的高額成本是很多小bbgoex所承受不起的,進而引發了一系列的吞併收購,讓在這個舞台表演的公司越來越少,現在的形勢基本上是IDM存活的都是巨頭公司,Foundry也是羣雄割據,Fabless裏倒是有許多專門做IP設計的小公司還可以繼續搞專精。不過由於台積電這個神奇的存在,感覺IC行業被分割成了區別很大的幾個領域。Fabless和Foundry玩的根本不是一個遊戲。 從全球發展來看,歐洲的半導體產業經過多年整合基本上就剩下以為意法半導體和英飛凌為首的幾家大型IDM還比較堅挺,東亞受到產業轉移影響而出現了許多很強的Foundry,北美的話頂級Fabless和IDM都不少,可以説是分工明確,有些產業有集中壟斷的趨勢,整個產業已經成熟化,由於摩爾定律逐漸走向原子極限,除非產生SiC芯片或者量子芯片這種超級創新,不然格局很難改變。 從目前的形勢來看,由於IC行業本身的高科技屬性,基本上屬於外人想進入這個行業必須先付出巨大的成本,對於貪婪投機的資本家們基本上很不友好,但是在行業內部屬於行業裏的人喝湯吃肉都還吃的很飽。而對於天朝而言,受到毛衣戰影響,註定了天朝必須付出巨大的成本來建立屬於自己的產業鏈,此外,由於5G,物聯網和AI的興起,行業需求仍然在持續增長,很多年內這個行業仍在會有很多機遇。 近年來互聯網發展迅速之後各種其他行業的夕陽產業論層出不窮,很多人基本都是信口開河,像樓主這樣的年輕人必須仔細分辨,如果真心熱愛微電子的話就按照自己的想法繼續走下去,不需要理會那些不懂裝懂的外行人。 網友:賈賈賈 在國外,搞微電子,我感覺確實是夕陽行業。 在過去,微電子或者芯片的科研方向,一直是更小的納米制程,更低的功耗,更好的製造工藝,這一切都是在摩爾定律的指導下完成的。然而如今芯片已經發展到了7nm,更小的納米制程導致隧道效應越來越嚴重。如今機遇硅的芯片,摩爾定律如今已經失效。所以你會看到一個很奇怪的現象,搞微電子的,絕大部分都在搞新材料的研究,不説對錯,只是走這個方向有一點點枯燥,個人覺得。 在企業中,世界巨頭的企業,一般都是制定芯片架構,比如ARM,這部分也已經非常成熟,並且小企業無法進入。剩下的小企業,要麼利用現成的架構和製造工藝,要麼開發一些特殊功能的ASIC,也是成本大時間久盈利低。 不過在國外讀微電子博士,一般都是有流片機會的,這是非常難得的,一些高端的企業招聘,一個非常重要的要求就是有流片經歷。讀微電子,先要想清方向,是搞工藝,搞材料還是搞設計,如果搞設計是搞前端還是後端,然後再選學校或者導師吧。國內對高端的微電子人才還是非常需要的目前~不過也別期待有很高的工資 網友:jircheis 是 先看看06年moto,西門子各自甩賣自己的半導體業務,再看看18年半導體的併購。12年前近300億美金價格,12年後100億出頭。 真以為就中國人聰明?人家老外10年前就判斷了這個行業的辛苦,就跑了。 ~~~分割 先説個個人看法,夕陽產業也可以是長尾。 朝陽行業一定是大量初創公司產生存活發展,大公司對小公司的購併實現擴展。 而夕陽產業一定是利潤向寡頭聚焦,向資本聚焦。 IC行業不符合嗎? 網友:取個名 集成電路工程師偶然看到你這個問題,首先給你訂個性,IC產業永遠不可能是夕陽產業,最多出現進去到這個行業的人越來越多,從業者競爭壓力越來越大。舉幾個例子,製造領域,高端光刻機為什麼對中國禁運?設計領域。 1.桌面CPU從8086發展到現在?為什麼還一直在迭代,製程更加先進,功耗更低,頻率越快。 2.NAND FLASH從最早的SLC到MLC到TLC到目前最新的QLC,技術一直被國外壟斷,國內為什麼要大力發展存儲,參考長江存儲。 3.中興事件,為什麼停止供應芯片,可以讓一個企業差點GG。這麼説吧,IC產業只會越來越先進,不會倒退,更不會消失,IC產業永遠是科技行業中最先進的一門科技。別看什麼黑洞,天體物理高大上,沒有IC,所有GG,只能剩下一堆理論知識。以後的IC產業,會繼續向着製程越來越先進,功耗越低,面積越小,速度越快發展。當硅晶圓達到極限過後,找到一種新的物質來代替硅晶圓。這不過是IC產業的一次變革而已。 網友:成嘯誠 很難一概而論的説 IC 是否衰退,需要依託於具體的應用行業領域而言。 就目前而言還沒有什麼明確的技術趨勢能夠替代目前的集成電路芯片的位置,所以 IC 行業的整體夕陽還談不上吧。 如果某個應用行業本身已經被顛覆,或者説已經夕陽了,那麼這個領域的 IC 業務自然也是夕陽行業。 而目前從業者們能看到的計算性能空間依舊非常大,機器學習的訓練和推理,機器人等領域都有非常大的空間。在這些領域會有非常多的芯片需求產生,新的芯片需求又會推動 IC 行業本身的進步。 大致就是這麼個道理吧。 來源:是説芯語 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-09-17 關鍵詞: 半導體 ic

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